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器件型号：LM5116 主题中讨论的其他器件：PMP9333、
大家好、我的基于 LM5116的转换器运行得非常好、但我想通过计算最容易受到攻击的组件的结温来找出负载限制-它们是 MOSFET 和电感。 主 IC 温度出奇的低、不受负载增加的影响。 电感温度说明了所有这些、因此我看到 MOSFET 是最薄弱的一点。 我的原理图主要遵循 PMP9333参考设计：
我的设计之所以有所不同、只是因为输入电压更高(84V)、为了 减少接通振铃、我同时使用 HB 电阻器和 HO 高 MOSFET 栅极电阻器。
结温的计算公式为 Tj = TC +(kJ x P)
其中 TC 是在 MOSFET 封装顶部测量的温度，kJ 是结至外壳系数，P -组件内部耗散的功率。 MOSFET 结至顶部的已知数据表-18k/w (我使用 Infineon BSC190N12NS3)
如何找到各个组件的耗散功率？ 转换器内部耗散的总功率为3.2W，效率为92%，此损耗如何在该设计中分布功率？ 两个 MOSFET 的温度相等，这表明它们的功率耗散大致相等。 如果我没有什么比这更好的了 、我可以假设所有的损耗都发生在 MOSFET 内部、但这肯定不是真的。
有什么建议吗？
