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[参考译文] CSD25402Q3A：独特封装

admin
Guru**** 2436330 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD25402Q3A

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/664446/csd25402q3a-unique-footprint

器件型号：CSD25402Q3A

你(们)好

在我的一个项目中、我必须在直流/直流转换器电路中使用 P 沟道 FET。 遗憾的是、我选择的 CSD25402Q3A 器件无法承受24-26V 的输入电压。 我注意到的奇怪之处在于、只有 TI 的 P -FET 具有此引脚布局-引脚1-4源极、5-7漏极。 其余制造商的布局是直接反转这个-引脚1-4漏极、5 - 7源极。 并非所有这些器件都遵循一些独特的标准？ 其他组件也会发生这种情况吗？ 由于这个引脚布局、我现在无法找到 CSD25402Q3A 的替代器件。

谢谢

Vishnu

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    TI__Guru**** 2436330 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Vishnu、
    您注意到这种差异的原因是 TI P 通道 NexFET 技术是独一无二的、因为它是我们所谓的"源极降压"、因为我们的竞争对手是"漏极降压"、因此正如您注意到的、它们将具有反向引脚输出。

    因此、遗憾的是、这些 P 通道 FET (CSD25402Q3A 和 CSD25410Q2)将是 TI 独有的封装。
  • 0
    TI__Guru**** 2436330 points
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