[参考译文] LMG5200：LMG5200评估板

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Other Parts Discussed in Thread: LMG5200, TIDA-00909, TIDA-00913, BOOSTXL-3PHGANINV, LMG5200POLEVM-10, PMP20873, LMG1205, LMG1210

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器件型号：LMG5200
主题中讨论的其他器件： TIDA-00909、 TIDA-00913、 BOOSTXL-3PHGANINV、 PMP20873、 LMG1205、 LMG1210

您好！

我有一个关于 LMG5200评估板/参考设计的简单问题。

正如我看到的、有三种不同类型可用。

BOOSTXL-3PhGaNInv 、TIDA-00909和 TIDA-00913。

它们之间有何差异？

谢谢你。

Stefan

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2387060 points

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您好 Stefan、

感谢您关注我们的参考设计。要回答您的问题：

BOOSTXL-3PhGaNInv 是 EVM、但不是 TI 设计。它提供了逆变器的基本硬件设计。

TIDA-00909是一种 TI 设计、主要用于高速电机驱动。它使用 BOOSTXL-3PhGaNInv 硬件作为平台、但也利用了 C2000 LaunchPad。此 TI 参考设计主要关注 GaN 效率的提高。当您查看设计指南时、可以比较不同频率下的损耗以及相关的测试结果。

TIDA-00913是一种 TI 设计、主要侧重于此应用中基于分流器的电流感应、它还使用 BOOSTXL-3PhGaNInv EVM。在本设计中、本指南将详细介绍电流感应、尤其是在高 CM 噪声环境中。 GaN 带来了高 dv/dt、电流传感器 INA-240能够帮助实现 CM 抗扰度。

这两个 TIDA 使用相同的硬件、但着重于不同。如果您有任何其他问题、请告诉我。

谢谢、此致、
连

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2387060 points

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您好、利兴、

感谢您的回复。
上周我购买了 BOOST-3PhGaNInv、但我想知道不同的类型。
我看到过、TIDA 不可出售、但将来是否有办法获得它们？
现在、我想收集有关使用 GaN 器件的经验。但它们与 MOSFET 似乎没有太大不同。

此致。

Stefan

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2387060 points

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您好 Stefan、

是的、LMG5200 EVM 和 BOOST-3PhGaNInv 应能让您熟悉 GaN。 GaN FET 比 Si MOSFET 具有许多优势、例如零反向恢复、这允许在半桥配置中使用 GaN FET、更低的输出和栅极电荷损耗、从而实现更高的开关频率和更高的压摆率。因此、它允许使用更高开关频率的转换器以及可使用硬开关半桥同时实现更高功率密度和效率的新拓扑。此类拓扑包括图腾柱 PFC (PMP20873)和隔离式半桥直流/直流转换器(LMG5200POLEVM-10)。
当然、这些高压摆率只能在封装和驱动环路的低寄生效应下实现。 TI 的集成驱动器方法可确保用户通过集成驱动器并最大限度地减小所有寄生效应、如共源极和栅极环路电感、从而充分利用 GaN。
我希望这将为您提供 GaN 评估的良好开端。

此致、
Serkan

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2387060 points

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尊敬的 Serkan：

感谢您的回复。

我第一次听说 LMG5200是2年半前的事。
从那时起、我计划获取这些器件、但没有时间处理、因为我的工作和我的研究会导致大量的工作负载...
但现在我有了自己的 BOOST-3PhGaNInv... 看起来很好！

正如我看到的、还有另一个器件、即驱动器 LMG1205。它看起来与 LMG5200类似、但没有内部功率级。
因此、应该可以创建具有不同特性的转换器和电机驱动器。
较高的工作频率应使使用较小的电容器和电感器成为可能。
但较硬的开关特性可能会导致 EMI 问题。
您经常可以在文献中找到有关使用软恢复二极管和降低压摆率以防止 EMI 问题的建议。但这些会导致更高的损耗。
我刚才看到了 LMG5200的布局注意事项。就像我要做的那样。但器件下方的短返回通道通过过孔连接。我认为这些过孔可能会有很大的问题、因为铜横截面会减小。我认为如果增加更多过孔、不会导致问题。
所以我会留意“黄金中间路”...
对于电容器、我计划使用 X7R 类型和电感器 ER 磁芯类型。我认为这种选择应该是可以的。或者是否有更好的解决方案？
如果使用 LMG1205器件、我喜欢将 GS61008P 用于功率级。

谢谢、致以诚挚的问候。

Stefan

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2387060 points

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您好 Stefan、

感谢您提供详细信息。我与 Serkan 一起工作。

对于 PCB 上的过孔、它们是从顶层传导电流至中间层的关键路径。只要根据负载电流有足够的通孔、就可以了。对于顶层的电流、如果您担心过孔导致的面积减小、则可以填充过孔、以便它仍然具有较大的传导面积。

对于无源组件、X7R 是一个不错的选择、请确保您选择的磁性元件与您计划使用的频率相对应。

LMG1205是采用 WCSP 封装的理想选择、我们最近还发布了另一个采用 QFN 封装的 GaN 驱动器 LMG1210。该驱动器支持两个独立的 PWM 输入或具有可调死区时间的单个 PWM 输入。它具有更高的频率、更小的最小脉冲宽度和更短的上升/下降时间、可支持高达200V 的工作电压。它具有高达300V/ns 的 CMTI、可实现超高的开关噪声抗扰度。您也可以查看这个、看看它是否适合您的应用。

请告诉我们是否有任何可以帮助的东西。

谢谢、此致、
连

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