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[参考译文] LM5050-1-Q1：最小 Vgs 电压

admin
Guru**** 2430620 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5050-1-Q1, LM5050-1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/664832/lm5050-1-q1-minimum-vgs-voltage

器件型号：LM5050-1-Q1
主题中讨论的其他器件： LM5050-1

您好！

我使用 LM5050-1-Q1为汽车电子控制单元提供反极性保护。  

我想知道： -如果 VSD (reg)低于典型的22mV，LM5050-1-Q1将提供的最小 Vgs 电压。

- RDS (on)= 4.4m Ω、ID =~1A

  -如果 Vgs 最大电压为12V (钳位)、则 VSD > 120mV

此致、

Moise

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    TI__Guru**** 2430620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Moise、

    在1A 条件下、使用4.4m Ω FET 时、VSD 必须为4.4mV。 LM5050-1通过下拉栅极来降低栅源极电压、从而使 FET 的 Rdson 满足22mV/1A = 22m Ω 的电阻。 将建立栅源电压、以便 MOSFET 刚刚导通、从而在1A 时实现22m Ω。

    栅极-源极将接近 Vth。 接近 VT 的程度取决于 MOSFET RsdON 与 Vgs 特性。

    此致、
    Kari。