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[参考译文] CSD25402Q3A：问题电压-封装

admin
Guru**** 2382440 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD25402Q3A
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/664474/csd25402q3a-issue-voltage--package

器件型号：CSD25402Q3A

您好！

我将 CSD25402Q3A p 沟道 MOSFET 用于我的项目(18伏电源)。 但在我的项目环境中进行了详细介绍后、电源电压可高达26伏。 但 CSD25402Q3A 仅支持20V 电压。

因此，我搜索了具有 P 沟道 MOSFET 的替代封装(因为 PCB 已经制造)。 但我注意到，所有其它封装相同的制造商(3*3) 都有3个源极、1个栅极、4个漏极(但 CSD25402Q3A 有4个源极、1个栅极、3个漏极)。 这意味着只有 TI 有这种类型的安排。 请提供任何解决方案。 解决该问题。

谢谢

Bibin Alex

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    TI__Guru**** 2382440 points
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    Bibin、
    我相信我刚刚以类似的主题为您的同事回答了这个问题。

    e2e.ti.com/.../2442012

    遗憾的是、由于 TI 的 P 通道"拉电流"芯片技术的独特性、我相信我们的 P 通道器件的封装将被我们的任何竞争对手逆转。 正如您可能已经注意到的、TI 只有升至20V 的 P 沟道 FET。
  • 0
    TI__Guru**** 2382440 points
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    那么、没有办法解决这个问题、对吧？

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    TI__Guru**** 2382440 points
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    遗憾的是、如果您没有针对可处理30V 电压或以某种方式减轻 FET 上的电压过冲的 P 沟道重新设计电路板、我将无法找到解决方案。