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[参考译文] LM5050-1-Q1:MOSFET 的未稳压 VDS

Guru**** 2428030 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5050-1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/664215/lm5050-1-q1-unregulated-vds-of-the-mosfet

器件型号:LM5050-1-Q1
主题中讨论的其他器件:LM5050-1

我们正在与 LM5050-1合作、但不使用 MOSFET 漏源电压的调节来降低传导损耗。

这是由 OUT -输入端的分压器电路完成的、该电路提供60mV 数据表 阈值(请参阅最大值 VGS -第6页上整个温度范围内的值)、与实际工作条件无关。 这是有效的、芯片提供了无调节的全栅极电压。

但是、当我查看第5页的数据表时、最大栅极电压定义为电压 Vout = Vin - 175mV。

当我理解正确并且工作正常时、如果达到60mV、栅极电压为最大值。

175mV 来自何处? 我在数据表中没有发现任何提示。

我是否必须更改电阻分压器以实现175mV 电压 、以满足 最坏情况下的计算?

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    您好!

    LM5050-1-Q0在整个温度范围内的 VSD 调节阈值最大值为60mV、Vin12V 和5V 时 Q1为37mV。 预计这不会因 Vin 而变化太大。

    为了消除使用分压器进行调节的问题、Q0的调节电压必须大于60mV、Q1的调节电压必须大于37mV。

    175mV 的最大栅极电压为数据表第5页、有很大的裕度、以确保正确测量 Vgate-Vin。 当 VSD 为70mV 或80mV 时、变化不大。

    是的、当控制器无法调节 VSD 并且在高负载时发生这种情况时、栅极电压达到最大值。

    无需将电阻分压器更改为175mV、但需要包含电阻器容差裕度。

    此致、
    Kari。
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    您好、Kari、

    感谢您的回答。 我的问题已得到充分回答。

    此致、

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