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[参考译文] LM74670-Q1：整流期间的栅极驱动下拉电流

admin
Guru**** 2427940 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/663946/lm74670-q1-gate-drive-pull-down-current-during-rectification

器件型号：LM74670-Q1

如果我们在半波整流器配置中使用该器件、则 FET 栅极电容放电所需的160mA 下拉电流将每负半个周期触发一次、对吧？

查看该器件的方框图、不清楚该电流来自何处？

反向电池关断块中是否有内部电流源？

谢谢。

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    TI__Guru**** 2427940 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你(们)好

    当控制器在交流正弦的负周期内检测到负极性时、下拉电阻器会通过放电晶体管对 MOSFET 栅极快速放电。 对于 Vgate_pulldown = Vanode + 2V、放电强度为160mA。
    基本上、下拉强度为160mA、它决定栅极放电的速度(取决于栅极电容)。

    没有内部电流源、但有一个强下拉晶体管、在2V 过驱(Vgate_pulldown = Vanode+ 2V)时、下拉电流的强度为160mA。 该晶体管出现在反向电池关断模块中。

    此致、
    Kari。