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[参考译文] PMOS LDO 和 NMOS LDO 之间的差异

admin
Guru**** 2422790 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/663584/difference-between-pmos-ldo-and-nmos-ldo

您好！

请问 PMOS LDO 和 NMOS LDO 之间的区别。

何时使用 PMOS LDO 以及何时使用 NMOS LDO。

此致

哈里

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    TI__Guru**** 2422790 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Hari、

    PMOS LDO
    在较高的 Vout 下压降较小、其中 PMOS 导通 FET 的 VSG (源极-栅极电压)较高。
    LDO 具有取决于负载(Cout 和 Iout)的控制环路极点。

    NMOS LDO
    在较低的 Vout 下压降较小、其中 NMOS 导通 FET 的 Vgs (栅源电压)较高。
    误差放大器可能需要大于 Vin 的偏置电压。 这可以来自外部偏置引脚(如果 LDO 上可用)或内部电荷泵。 电荷泵将增大 LDO 的静态电流并产生 LDO 输出噪声。

    更多详细信息可在此处找到：
    www.ti.com/.../sbva026e.pdf
    www.ti.com/.../slva072.pdf
    www.ti.com/.../slva079.pdf
    www.ti.com/.../slva068.pdf
    www.ti.com/.../snva558.pdf
    www.ti.com/.../snva020b.pdf
  • 0
    TI__Guru**** 2422790 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Eric：

    感谢你能抽出时间。
    我们可以说、当 I/P 电压更高(让它大于2.5V)时、我们将使用 PMOS LDO、当 I/P 电压较低(让它为1V)时、我们将使用
    NMOS LDO。 如果我错了、请纠正我的问题。

    此致
    Hari T O
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    TI__Guru**** 2422790 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Hari、

    导通元件拓扑：PMOS、NMOS 或双极通常不是选择 LDO 的主要因素。 我建议根据数据表中发布的规格选择适合您应用的 LDO。