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[参考译文] 低 BAT 引脚泄漏电流充电器

Guru**** 1828310 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25600, BQ24250, BQ24072, BQ24040
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/663118/low-bat-pin-leakage-current-charger

主题中讨论的其他器件:BQ25600BQ24250bq24072BQ24040

您好!

现在、客户正在寻找具有低 BAT 引脚泄漏电流的充电器。 目标规格为7.5uA (最大值)、这是其电流系统中使用的竞争对手线性充电器的实际规格。 我已经介绍了 bq25600、但其 BAT 引脚泄漏电流太高。 您是否有其他解决方案可满足此规格和以下要求?

  • 目标 BAT 引脚泄漏电流:7.5uA (最大值)
  • 单节电池、4.2V
  • 拓扑:线性模式和开关模式均可接受
  • 必须由主机控制以减少外部 RC
  • 充电电流:800mA
  • 5V VBUS 中的输入电压
  • 封装越小、WCSP 就越好

此致、

Satoshi / Japan Disty

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    Satosi-San、

    bq24250的 IBAT (HiZ)最大值为22uA、是开关模式充电器中最低的。

    有几个 IBAT (HiZ)低于7.5uA 的线性充电器(例如、bq24072、bq24040)、但它们是独立的。

    是否可以在充电器和电池之间添加外部 FET 以将电池与充电器隔离并减少 HiZ 模式下的泄漏?
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    尊敬的 Jeff:

    关于您添加外部 FET 的想法、您能否展示简化版原理图? 由于空间有限、可能很难添加外部 FET、但我想提出这个想法。

    此致、
    Satoshi
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    这假设 VREF/LDO 在施加 VIN 时关闭、并且器件 通过引脚或寄存器进入 HiZ 模式。  或者、NFET 栅极可直接连接至 VIN。  该电阻器的大小为兆欧姆级。  

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    e2e.ti.com/.../Drawing1.pdfIt显示我的工程图未正确通过。  这里是 pdf 格式。

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    尊敬的 Jeff:

    感谢您准备原理图。 我知道此应用只能与非电源路径充电器配合使用、但我会告诉客户这只是一个想法。

    此致、
    Satoshi