[参考译文] LMZ31710：LMZ3170布局

YANG 正确、C4是高频旁路电容器。 数据表中的建议值为0.1uF。 其他电容器仅供您参考：
C1 =电解输入电容器
C2 = PVIN 引脚1、39和40处的陶瓷电容器
C3 = PVIN 引脚11和12上的陶瓷电容器。

我同意，这可能有点令人困惑。 布局指南不一定专门适用于任何设计示例。 根据所示的布局、我同意 Yang 的说法、C4是高频旁路电容器。 虽然他建议 C4 = 1uF、数据表特别建议 HF 旁路使用0.1uF 电容。 虽然我不直接支持 LMZ31710模块、但最好在本地将 PVIN 引脚旁路至 GND。 由于 LMZ31710的 PVIN 引脚位于两个不同的位置、因此我要在每个位置附近放置一个电容器。 除了电解 C1、数据表建议从 PVIN 到 GND 的电容值至少为44uF。 您必须考虑陶瓷电容器的直流偏置特性。 当施加的电压增加到额定电压时、实际电容可能会大幅降低到低于标称电容。 您可能需要在 C2和 C3位置都放置47uF。 您可以在每个位置交替放置2 x 22 uF。 这一切取决于降额值。 只需确保它大于44uF。 在布局示例中、VIN 直接连接到 PVIN。 如果您使用单独的 VIN 电压、则在引脚3处使用4.7uF 电容在本地旁路。 希望这将会清除所有这些内容。 如果不是、正常的支持人员应在假期后返回。 请告诉我。

大家好、  

我认为 PH 岛已传播到所有层、以实现散热。 这将有助于从器件中获得一些热量。 将 PH 节点传播到其他层的折衷是潜在的噪声耦合。 我建议在 PH 岛和附近的铜之间强制留出更多间隙。 这将最大程度地减少到附近节点的任何电容耦合。 顶层和底层将是将热量散发到环境中的最有效方法。 也许您可以在外层使用铜岛、以便您仍然获得热优势并最大限度地减少潜在的噪声耦合。

我还将联系在该板上工作的应用工程师。 他可能还有一些建议。  

谢谢、  
Denislav