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您好!
请查找所附的隔离式7W CC 电路。 输出电压出现问题、输出的纹波电压为3伏。 已尝试将 Cout (增加到470Uf + 220Uf)但仍看到纹波(50Hz、3Vpp)。
Rgds
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您好 Chandra、
该 LED 的数据表显示它是一个双芯片 LED、您是串联还是并联连接它们? 您在设计中将两个裸片用作一个 LED 还是将每个裸片用作 LED? 您的 LED 输出电流是多少? 要计算动态阻抗、我需要知道如何为输出和输出电流配置 LED、以及您是否将两个 LED 裸片用作一个或单独的 LED 裸片。 或者更简单的问题是、您使用的是11个 MLCAWT LED 还是21个 LED?
例如、我计算了在接近最大规格的条件下运行的 LED:
如果在7个串联中将 LED 的一个裸片用作单个 LED、则3个并联配置的 LED 规格最大输出电流为525mA、动态电阻约为9.3欧姆。 这将使用11个 MLCAWT LED 封装、其中一个 LED 芯片未被使用(11个 LED X 2芯片= 22芯片减去一个以达到21芯片)
如果两个 LED 裸片都用作您7个串联的单个 LED、则3个并联配置 LED 规格的最大输出电流将为1050mA、动态电阻将约为4.7欧姆。 这将使用21种 MLCAWT LED 封装。
该公式用于将 LED 电流纹波设置为平均输出电流的30%(计算得出的直流输出电平)。 可以根据您的设计更改此数字、如果您降低纹波百分比、输出电容器将变得更大。 您对 LED 纹波百分比有何期望?
如果您可以使用示波器测量 LED 电流、那将非常有用。 了解 TPS92310的运行是否正确也很有帮助。
此致、
您好 Chandra、
每个电流为200mA 的50欧姆电阻器上都有10伏的压降。 两个50欧姆电阻器将具有总共20伏的压降、它们还需要具有至少2.0瓦的功率耗散。
由七个双芯片 LED 组成的 LED 灯串将使 LED 两端的总电压为24.5伏。 加上电阻器的20伏电压、总串电压将为44.5伏。
不包括电阻器的串动态阻抗将约为18.2欧姆、而电阻器的动态阻抗将为118.2欧姆。 470uF 电容器上的电流纹波应该很小、因此如果您看到闪烁、则必须执行其他操作。 我假设输出电容器连接在所有 LED 和两个电阻器上?
此外、如果通过七个 LED 和两个电阻器运行200mA、则仅灯串(不包括电源)的效率将为55%、两个50欧姆电阻器中的功率将损失45%。
也许电阻器上增加的压降会导致 OVP 保护生效(44.5伏)?
TPS92310应该能够在没有50欧姆电阻器的情况下调节 LED 灯串中的电流。
使用 Cout 公式、如果没有50欧姆电阻器、30%纹波的输出电容器将为413 uF、其中两个50欧姆电阻器为64 uF。
此致、
您好、Irwin、
在我们的设计计算中附加了 xls 后、还有一个观察结果是我们从 xls 中得到的、
ZCD 引脚电阻器 R10 (在我们的案例 R65中) 643k kΩ Ω(在 EVM 和案例66.5K 中)
ZCD 引脚电阻器 R12 (在我们的案例 R58中) 13k kΩ Ω(在 EVM 和我们的案例11K 中)
e2e.ti.com/.../TP9S92310_5F00_Calculation_5F00_tools_5F005F00_REV1-3a.zip
Rgds
Chandra
您好、Irwin、
在其中一个电路板中,我们将 R65的值更改为499, 将 R58的值更改为30K,并添加了 RCD 缓冲器(R=SMF3W150KJ,C=1812B102K202CT,D=1N0007),现在我们可以看到恒定电压和 OVP 的断续模式,同时我们还可以看到7个串联 LED 的预期电流输出。
但现在大问题开始了、我们看到 U15 (TPS92310DGS)、 R55 (3欧姆电阻器)、 Q1 (STD3NK80ZT4)在某些电路板中损坏、即使某些工作电路板也是如此。 我们确信返工效果良好。
PS:当我们移除 R50 (限流器)并在该位置添加了0.5安培保险丝时、即使没有缓冲电路、我们也会观察到这种行为(U15、R55、Q1也会损坏)。 我们移除了 R50并尝试使用保险丝、因为该电阻器经常损坏。
Rgds
Chandra
您好、Irwin、
我们似乎已经解决了我们遇到的问题。
1.计算 Vzcd 的两个电阻值错误,正确值介于63K~73K 和11K 之间。 我们的电路的工作表。
e2e.ti.com/.../TP9S92310_5F00_Calculation_5F00_tools_5F005F00_REV1-3a_5F00_chandra.zip
缺少缓冲电路也与初级侧的这种高电流和电压尖峰相关。 这在 EVM 中称为可选。
3、MOSFET 漏掉引线、因为所选 FET 与 EVM 中的 SOA 相比不是很好。 MOSFET SOA 和米勒区域、我们需要使用我们的电路和布局进行验证。 我们还发现、我们使用的 MOSFET 与 EVM 中使用的 MOSFET 不同、输出电容几乎是 MOSFET 中的10倍、下面是 SOA、因为我们的 MOSFET 不确定 SOA 区域的 ID、因为我们处于75Khz 开关频率。
4.需要改进布局以增加某些区域中的布线厚度。
Rgds
Chandra