[参考译文] UCC27210：半桥配置中的过度振铃问题

尊敬的 Luca：

感谢您的支持！ 我是 UCC27210的应用工程师。 看起来是一个很好的小电路。 我能不能问您换能器的用途是什么？

您会提到高侧漏极电压下的 HS 振铃。 哪个 FET 损坏了 HS 或 LS？ 这是一个很好的观察结果、很可能会超过开关节点振铃导致的最大 HS MOSFET Vgs 或 LS MOSFET Vds。 HS-GND 和 HM-HS 的并发作用域有助于证明这一点。 这种振铃可能是有道理的、因为当您增加开关节点上寄生电感和电容中存储的能量时、以及当您在 LS 体二极管负载电流产生续流效应后打开 HS FET 时 (用于为 LS FET 的寄生漏极电感充电)您将改变 LS 漏极和 HS 源极寄生电感的极性、并在 LS 寄生电容从 VIN 充电的同时将其放电到开关节点。 同一节点上的充电和放电会在开关节点上产生 LC 滤波器类型的振铃。 您可以在以下网址阅读有关此内容的更多详细信息： www.ti.com/.../slyt465.pdf

对于这种解决方案、您最好选择使用小栅极电阻器值来缩短 HS FET 的上升时间。 您还可以将电容器与 HS FET 的 CGS 并联、以产生相同的影响。 如果可能、我想查看有关如何连接驱动器 FET 变压器压电电路的原理图。

谢谢、

尊敬的 Jeff：

非常感谢您快速回复我并为我提供帮助。 在我的应用中始终损坏的 FET 是 HS (在我的测试期间已经过三次)。 为了在安全条件下工作、我必须限制施加到半桥的最大电压。 从 HS 开关节点中以 GND 为基准的电压来看、当 FET 发生故障时、这明显小于-20V (绝对值更大)。 振铃振幅在上升时间和下降时间内更加相似、并且其最大振幅几乎为在几 μ s 内下降前施加电压的100%。  该应用是超声波压电式传感器的标准驱动器电路、需要高电压来生成显著的声波。 即使在此应用中使用变压器来充分补偿次级窗口上的电压、控制信号频率也非常低(低于1MHz)、 我设计了具有快速驱动器和快速功率 FET 的电路、因为我希望在高频应用(具有高频传感器)中也使用相同的结构、很明显、不使用不能用于高频电压信号的变压器部件。 在下面您可以看到电路。 线圈的初级窗口连接在 HS 与 GND 或 HS 之间、并连接到两个电容器的中间(如果应用中需要正/负波形)。 此时、我使用初级侧连接到 GND 的电路。 如果我在 HS FET 中的 GS 之间并联添加一个电容、I 将缩短上升时间、但也缩短下降时间、也许我还必须在低侧添加相同的电容、以避免在开关阶段形成接地电流路径。   非常感谢。

卢卡