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[参考译文] bq24600：输出路径中的二极管

admin
Guru**** 2348500 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24600
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/608474/bq24600-diode-in-output-path

器件型号：bq24600

你(们)好

我们正在使用 bq24600为锂聚合物电池构建一个4S (16.8V)、2A 充电器。

根据 bq24600数据表、我们在参考设计方面遇到了问题：在连接电池时、由于浪涌电流过大而导致 PCB 发生灾难性故障。 从该表单上的其他文章中可以看到、其他几个用户也遇到了类似的问题。

我们只需根据所附的原理图在充电器的输出路径中添加肖特基二极管(D13)即可解决浪涌电流问题。

然而、我们的充电电流在1.7A 左右测量、而不是设计所需的2A。

因此、添加输出二极管是否会影响 bq24600的内部调节以解释充电电流差？ 如果是、具有浪涌保护功能的精确充电电流的可能解决方案是什么？

谢谢、

Jan-Cor

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    TI__Guru**** 2348500 points
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    您好、Jan-Cor、

    充电电流取决于 SRP/SRN 电压和 ISET 设置。 您是否测量了添加二极管前后的充电电流？ 在添加二极管之前、充电电流是否为2A？ 我需要确保它是由二极管或布局引起的。 还请检查布局是否遵循开尔文感应以及 GND 布线是否正常。

    谢谢、
    Ann Lien
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    TI__Guru**** 2348500 points
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    您好、Ann Lien

    感谢快速响应。 由于存在对芯片造成灾难性损坏的风险、我们没有在没有二极管的情况下测量充电电流。 我现在在没有二极管的情况下工作了、充电电流相同：充电器输出为15.25V 时为1.66A、因此二极管的影响似乎很小。

    从3.289V 的 Vref 输出到 ISET 测得的电压为0.396V、因此这看起来不错。

    看起来布局会导致问题：我们在检测电阻器上测量17mV、在 SRP 和 SRN 之间的芯片上测量18.3mV。 我们的路由。

    您能不能通过检查 GND 布线是否正常来详细说明您的意思。

    是否有其他有关检查充电电流精度的建议？

    此外、随着芯片温度上升到90摄氏度、我们还会对电路板的热问题产生影响。 我们检查了效率、输入到输出功率的效率约为90%至92%。 但是、从数据表中可以看出、效率似乎达到了95%、这正是人们所期望的。

    为了提高效率、布局中需要检查哪些内容？

    谢谢、

    Jan-Cor

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    TI__Guru**** 2348500 points
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    您好、Jan-Cor、

    对于 GND 布线、您可以检查是否所有 AGND 布线(包括 ISET、TS、VREF)都连接到 PowerPAD、然后连接到 PGND。 当您未将 AGND 和 PGND 分开时、可能会出现错误。 当高电流流经模拟信号感应路由时、将会产生误差。

    对于效率问题、存在开关损耗和导电损耗。 具体取决于 MOSFET 和驱动能力。 您可以最大程度地减小栅极驱动布线、更改其他性能更好的 FET。

    谢谢、
    Ann Lien
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    TI__Guru**** 2348500 points
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    您好、Ann Lien

    非常感谢。 目前、我们的布局针对小尺寸进行了优化、因此我们的接地布线可以得到改进。 将进行修改、看看这是否有助于实现充电电流差。 还将包含更好的散热注意事项、以尝试降低工作温度。 将让您知道事情是如何出来的。

    再次感谢、

    Jan-Cor

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    您好、Jan-Cor、

    还可以！ 等待好消息！！

    谢谢、

    Ann Lien

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    您好、Ann Lien

    我们修改了布局并改进了接地。 充电电流现在要好得多、接近设计的2A、即使使用二极管也是如此。

    遗憾的是、在2A 充电时、BQ24600芯片的工作温度仍为85至90摄氏度。 您是否可以建议您检查热性能是否有任何改善、或者是否预计会达到90度的工作温度？

    谢谢、此致、

    Jan-Cor  

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    您好、Jan-Cor、

    这是 bq24600还是 MOSFET、电感器等其他组件的高温？ 请帮助验证哪一个是热点、以便我们讨论如何改进它。 如果可能、还请向我提供您的新布局以供进一步讨论。

    谢谢、
    Ann Lien
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    您好、Ann Lien

    谢谢、我们再次测量了温度。 在2A 充电时、PCB 板温度约为75摄氏度。 FET 的温度约为80摄氏度、bq24600芯片的温度约为92摄氏度。

    随附的是原理图以及前面板和背板布局。 我们非常感谢您提供有关检查或更改内容的建议。

    再次感谢、

    Jan-Cor

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    您好、Jan-Cor、

    您能否将原理图和布局(作为 Altium 文件)发送到 ann_lien@ti.com？ 我可以更轻松地进行检查、谢谢！

    由于 bq24600是外部 MOSFET 解决方案、因此其 IC 上的温度不应为92摄氏度。 唯一功耗更大的是驱动电路。 您能否帮助我检查驱动能力是否不足以满足您的 MOSFET？ 或者您的电路中是否存在任何大功耗？

    谢谢、

    Ann Lien

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    您好、Ann Lien

    我们的布局在开源 PCB 路由器 KiCad 中完成。 我将研究将 KiCad 格式转换为 Altium 的可能性。 如果我有更多信息、将通过电子邮件联系我们。

    再次感谢、
    Jan-Cor
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    您好、Jan-Cor、

    或者、您能否在转换之前先发送 Kicad 文件？ Altium 更好、但 Kicad 对我也很好。

    谢谢、
    Ann Lien
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    您好、Jan-Cor、

    全面检查有点困难，但我也注意到需要核实的一点。

    对于 GND 布线、设置电阻器如 ISET、TS...等的 GND 布线 过长。 它可能会影响设置 vallue。

    对于 Vin 电容器、您可以将 C20和 C22放在一起(位于 C22的位置)、以最大程度地减小高频切换环路之间的布线。

    对于 REGN 电容、请将其尽可能靠近 IC 放置。

    对于您的高温问题、我想检查此问题是否来自 IC。 请交换电路板上的新 IC 以查看是否仍然存在高温。 此外、与新 IC 相比、还应检查旧 IC 上的阻抗。

    谢谢、

    Ann Lien

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    您好、Ann Lien

    感谢您提供的信息和反馈、我们将研究如何进行建议的更改。

    将检查 IC。 您能否通过检查 IC 的阻抗来提供有关您的含义的更多信息？

    谢谢、此致、

    Jan-Cor  

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    您好、Jan-Cor、

    感谢您发送电子邮件、我将仔细检查您的设计细节。

    对于阻抗测量、只需快速检查以确保旧 IC 仍然正常。 您可以将每个引脚与 GND 阻抗与新的/良好的 IC 进行比较。

    谢谢、

    Ann Lien