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[参考译文] BQ34110EVM-796：不能更改 BQ Studio 中的数据存储器参数、即使它未密封也是如此

admin
Guru**** 2347060 points
Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/613113/bq34110evm-796-cannot-change-data-memory-parameters-in-bq-studio-even-if-it-s-unsealed

器件型号：BQ34110EVM-796
主题中讨论的其他器件：BQSTUDIO

你好！

我将 BQ34110EVM 板与镍氢电池配合使用。 我已按照 CEDV 参数的说明进行操作、发送数据并从 TI 接收 CEDV 参数。

我尝试更改数据存储器中的参数、在我单击以读取所有参数之前、这些参数似乎会发生更改、并且所有默认参数都会返回...

我单击了 unseale_full_access、位 sec1已设置、sec0已清除、应该是未密封但不是完全访问。

如何永久更改参数？ 我是否必须具有完全访问权限？ (不知道如何...)

谢谢你

Michael

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    TI__Guru**** 2347060 points
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    您应该发送完全访问命令0xFFFF 0xFFFF。 有一个完全访问命令按钮、其中已填充 bqstudio 中的代码。

    此外、在您对监测计进行更改后、请确保单击"全部写入"按钮以写入所做的更改。
    谢谢
    Onyx
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    TI__Guru**** 2347060 points
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    好的、

    我发现"闪存更新正常电压"对于我的应用来说设置得太高、这样就无法将参数写入闪存。
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    TI__Guru**** 2347060 points
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    确保在制造状态寄存器中设置 CAL_EN 标志。 这将允许监测计在设置和校准监测计之前覆盖闪存更新正常电压。 如果未设置该标志、则按下 Commands (命令)面板上的 CAL TOGGLE (校准切换)按钮。 bq34110EVM 用户指南对此进行了介绍。
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    TI__Guru**** 2347060 points
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    好的，谢谢！