[参考译文] LM74670-Q1：验证并行 NFET 配置、反向电流保护、受温度变化影响的规格等

大家好、

是否有此主题的更新？

谢谢、此致、

丹尼尔·丰卡农

Dan、您好！

1.是的、LM74670可以驱动并联 FET。 它具有比 LM74610更高的驱动电流(67uA 与46uA)。 请记住、您并不像在 SMPS 应用中那样驱动 FET、因此需要 uA 级电流来实现 FET 导通比体二极管导通更慢的转换、从而防止电流尖峰。
2.您不能背靠背 FET、也不需要背 FET、因为 LM74670在根据 DS 中的应用使用时提供反向电流保护。
3.建议您在 DS 表中选择 FET，因为它们已被证明可以正常工作。 当体二极管导通且您希望 FET 增强至5.15v 以下时、VGS 可以为5.15v。 看看 FET Vgs 阈值、同样重要的是 FET 平坦电压、以确保它处于低电平。 较高的 Vgs 阈值和平坦电压会导致运行问题。
使用 LM74670时、栅极驱动器更高、使其能够以更快的速度打开 FET、并实现更高的运行频率(300Hz)。
主要是 FET 的占空比范围与 IC 的体二极管导通和 FET Rdson 温度系数。

Brian

您好 Brian、

感谢您的详细回答！ 这回答了我在这个主题上的问题。

此致、

丹尼尔·丰卡农