[参考译文] LM5021：LM5021二极管

Sandeep、您好！

此参考设计以及无数其他类似设计都需要 D4和 D2。 正如您推断的那样、确实需要 D4、以便在 MOSFET 关闭后为漏电感电流提供路径。 还需要 D2来建立一个高于反射输出电压的钳位电压。 D2不是诸如 D4之类的阻塞二极管、而是齐纳型二极管、实际上应该是瞬态电压抑制器(TVS)、比简单的齐纳二极管更坚固耐用。 如果仅存在 D4、则初级绕组上只会出现大约1V 的钳位电压、Q1导通期间存储在该绕组中的所有能量将在 D4中耗散、并且其中任何一个都不会传输到输出。 D4将在几秒钟内烧毁。 为了将磁化能量输出到输出端、D3必须正向偏置、这会使 Vout 在次级绕组上产生影响、并通过匝数比反射到初级绕组。 因此、D2的额定电压必须高于反射电压的额定电压、否则所有磁化能量将在 D2中耗散。

如果 D2的额定电压仅比反射电压高几伏、则泄漏能量耗散需要很长时间、D2也会耗散大部分磁化能量。 为了将能量损耗限制在泄漏电感中、D2的额定电压必须无限高。 很明显、这是不可行的、因此需要对 MOSFET 的 VDS 最大额定值进行折衷、以使钳位电压足够高、能够在短时间内吸收泄漏能量、同时不会损失大量磁化能量。 通常情况下、钳位电压选择为反射电压的大约2倍、因此钳位中的总功率损耗变为泄漏电感能量的2倍、即开关频率。

通常情况下、使用 R-C-D 钳位电路代替 D2处的 TVS、因为 RCD 电路的成本较低。 但是、RCD 钳位电压会随输入的能量而变化、因此钳位时间不恒定、并且在轻负载时损耗更大。 RCD 钳位通常称为缓冲器、因为它们类似于 RC 缓冲器、但在 D2下的用途与 D2相同：是用于泄漏能量的电压钳位、用于保护 MOSFET。

有关 初级侧钳位的更多信息、请参阅此电源设计小贴士视频 training.ti.com/.../power-tips-snubbing-flyback-converter clamp design&tisearch=Search-EN-Everything。

此致、
Ulrich