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器件型号：LM5113-Q1 主题中讨论的其他器件：LM5113
我们目前使用 LM5113来驱动位于单独模块内的并联半桥 GaN eHEMT FET。 问题在于、较大的栅极环路电感(无法降低)会导致大量振荡和器件误开通。 因此、对于高温应用、我们的开关损耗太高。 (电路如下所示)。
原理图如下。 已应用并调整阻尼和谐振补偿(原理图上用蓝色圆圈标出)、但影响最小。 下图显示了栅极驱动输出响应相对于实际 Vgs 电压的问题。 是否有改进 LM5113以补偿此栅极环路电感/谐振的固有方法、或者您可以推荐任何解决方案？
