This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC27537:UCC27537在 UVLO 期间的灌电流/阻抗、使能功能阐述

Guru**** 1181830 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27537
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/611523/ucc27537-ucc27537-sinking-current-impedance-during-uvlo-enable-function-clarification

器件型号:UCC27537

UCC2753x 数据表指出了"当输入悬空或 VDD UVLO 期间、输出保持低电平"特性。  但是、没有指定任何行为。  理想情况下、数据表应提供一条曲线、显示低于 UVLO 阈值的电压下的灌电流与 Vdd、假设该函数是自偏置的、而不是简单的电阻器。  请提供任何可用的信息、以便用户确定此驱动器是否具有足够的灌电流能力、从而确保驱动器件在承受高功率增益 dv/dt 时保持关断状态。

此外、使能功能说明、图表和真值表不一致。  第9.3.3节规定"如果需要、使能也可由低压逻辑驱动以启用和禁用驱动器。"  但是、驱动器似乎从未被实际禁用(在高侧和低侧器件都为高阻抗时、绝不会出现这种情况)。  相反、当器件未启用时、所有型号似乎都下拉-请确认。  

最后、UCC27537的真值表似乎错误。  芯片方框图表示第二行到最后一行(使能和输入高电平)应导致高输出-请确认。  请注意、另一张海报要求对此进行澄清、但问题未得到解答。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好!
    感谢您关注 UCC27537。 我是德州仪器的应用工程师、将解答您的问题和疑虑。

    具有低 VDD 的驱动器输出的行为如下。
    在极低 VDD 下:内部高侧驱动器 MOSFET 具有体二极管、可有效地将驱动器输出钳位到 VDD、输出钳位在 VDD 电平之上~0.6V。
    在 VDD ~1.5V 时、可用电压足以开始驱动内部低侧 MOSFET 并主动钳位到接地、此时、驱动器输出将被钳位在接近接地的位置。

    实现使能功能时、当器件被禁用时、驱动器输出被驱动至一个低电平状态。 在大多数应用中、这是所需的行为。 您提到的函数是禁用期间的三态或高阻抗输出。
    您可以正确地看到、器件从不禁用到高阻抗输出状态、但这是大多数驱动器器件中启用或禁用的典型实现方案。

    UCC27537逻辑表的说明。 第4行(EN 引脚 H、IN+引脚 H、OUT 引脚 L)似乎不正确。 当使能端高电平和同相输入端高电平时、驱动器输出端应为高电平。

    请确认您是否认为我们已解决您的问题。

    Richard Herring
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    感谢您的提示和详细回答。 该器件可根据我当前设计的要求工作。

    我有一项关于今后可能的备选案文的建议。 对于 IGBT 驱动应用、可能需要将驱动器置于高阻抗状态(真正的使能功能)。 当需要响应解卫星检测的软关断功能时、可以执行此操作。 我们通常使用小型 N-FET 和电阻器实现软关断驱动。 很少有驾驶员能够适应这种情况。 分离输出器件适用于 IGBT 应用、并且可能是包含此功能的最佳配置。