[参考译文] TPS54560：最大 SW 电压

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/609915/tps54560-maximum-sw-voltage

器件型号：TPS54560

我们希望将 TPS54560用于输入电压为35-55 VDC 的降压转换器。 TPS54560的开关速度非常快、当内部 FET 关断时、会在 SW 引脚上产生尖峰。即使在布局非常仔细的情况下并在续流二极管上使用 RC 缓冲器、我们也测量了大于10Vpk 的尖峰。这意味着我们无法使用 TPS54560、因为数据表中 SW 引脚上的最大电压指定为65V。

问题：

内部 FET 在哪个电压下雪崩？

当内部 FET 关闭时、是否允许 SW 引脚超过65V (例如、泄漏电感导致的70Vpk-spike)？

如果没有、是否有办法降低内部 FET 的开关速度？

此致

Christian

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2333840 points

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您好！
您的缓冲器电路有何价值？
您还可以添加一个带有引导电容器的串联电阻器以降低导通速度。此外、您还需要选择具有较小 Qrr (反向恢复电荷)的续流二极管。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2333840 points

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你(们)好

缓冲电路的阻值为27 Ω 和220pF。我们已经使用了100V 肖特基二极管(无反向恢复电荷、仅结电容)。如有必要、我们将尝试使用引导电容器中的串联电阻降低开关速度。但是、我们需要知道内部 FET 进入雪崩之前我们有多少裕度(我们不能避免这种情况)！例如、TPS54560-EVAL-MODULE 无缓冲器、BOOT-CAP 中无电阻器、额定输入电压为60V。内部 FET 何时开始雪崩？

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2333840 points

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抱歉、我不知道 MOS 的最大额定值。其他人稍后将为您提供答案。
顺便说一下、您是否使用小环路来测量 SW 节点？如果探头的 GND 电缆过长、也会导致高电压。
对于缓冲器、可能2 Ω-2200pF 会更好。
您还需要参考 DS 来绘制布局。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2333840 points

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探针的测量回路非常小。我将尝试使用较高的 C 缓冲器、即使它会导致更多的耗散。
对于设计的最终决定、我将等待我达到最大值内部 MOS 的额定值。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2333840 points

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如果您担心 SW 节点尖峰达到70V、则是内部 FET 导通时。当 FET 导通时、内部 FET 上的压降较低。高电压尖峰会对 SW 引脚上的其他元件、主要是外部二极管带来风险。确保外部二极管可以在该电平处处理反向电压尖峰。
降低内部开关导通速度有助于降低电压尖峰。代价是开关损耗更高。随着开关频率的提高、效率将会降低得更多。要降低导通速度、您可以添加一个与自举电容器串联的电阻器、起始电阻为5 Ω 或10 Ω。

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