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[参考译文] LMR16006：损坏的原因

admin
Guru**** 2331770 points
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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/608772/lmr16006-cause-for-broken

器件型号：LMR16006

您好！

LMR16006是否可以用小型(15nF)自举电容器来断开？

我和我的客户正在考虑损坏的原因。

此致、

Kuramochi

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    TI__Guru**** 2331770 points
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    我不认为低引导电容器会损坏器件、 但15nF 太小、 无论 D 的值是多少、当 CB 至 SW 引脚电压低于3V 时、它都会关闭高侧 FET (详细信息请参阅数据表中的第8.3.2节)。 因此、如果您的转换器具有一个大的 D、则需要一个足够的电容器。  

    此外、 电容的电压速率必须具有裕度、16V 就足够了。

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    TI__Guru**** 2331770 points
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    要添加至 Vental 所说的内容：
    是的、15nF 太小、因为建议使用100nF。 如果内部 N 沟道 MOSFET 过热可能导致 CBB 过小而导致损坏、则可能会造成损坏。 由于引导电压在导通期间下降、MOSFET Rdson 高于具有正确值的值、因此裸片损耗较高。 人们会期望热关断操作、但此类内部电路会使用安装的正确值进行评估和验证。