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[参考译文] LM9061:PWM 应用

Guru**** 2330840 points
Other Parts Discussed in Thread: LM9061, LM5060, LM555, DRV104, DRV103
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/608550/lm9061-pwm-application

器件型号:LM9061
主题中讨论的其他器件: LM5060LM555DRV104DRV103

我有一个24V 电阻式加热器驱动应用、此应用可以使用滞后(恒温器)控制或者一个利用 PWM 驱动的 PID 环路。  由于被加热的质量具有以秒为单位测量的热时间常数、因此 PWM 频率可能很低、可能是几十 Hz。  LM9061似乎是一种低成本解决方案、用于驱动具有受控压摆的高侧 N 沟道 MOSFET、从而更大限度地降低电气开关噪声。  第一页的数据表应用项目符号提到了 PWM 直流电机驱动器、但未提供 PWM 应用信息。  

由于这是一个简单的非电容式和低电感电阻元件负载、电流高达2.5安培、因此冷浪涌极小、因此我假设延迟计时器可以极小。  我的理解是、延迟计时器对 MOSFET 的导通/关断时间没有影响、因此我只需使用建议的0.1uF 非规格延迟值即可

我是否可以查看任何 PWM 应用示例和/或需要注意的有关此芯片的任何特定要点?  我选择的 MOSFET 将根据负载电流进行适当的尺寸、并且只要我不改变栅极驱动、我预计通过开关压摆产生的重复瞬态功率耗散应保持在 SOA 额定值范围内。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    嗨、Rick、

    老实说、我们支持 LM9061的团队不太熟悉此特定应用/终端设备的设计。

    LM5060与 LM9061非常相似、但成本更低、并且具有一些额外的保护特性(如 UV/OV)和更宽的 VIN 范围。 由于栅极拉电流更小、LM5060的导通时间更长、但关断时间更快(由于下拉电流更强)。

    考虑到低频、这些器件似乎非常合理且有可能被使用、但我认为可能存在一个更好或更常见的解决方案。 例如、人们目前是否使用简单的 LM555计时器来驱动低侧 NFET?
    www.instructables.com/.../

    否则、我认为 TI 的电机驱动专家可能会有更好的建议、因为在许多方面、此应用可能类似于电机驱动 PWM 控制、但无需 H 桥。

    如需了解更多相关信息、请访问 ti.com/motor。 在电磁阀部分下、有一些器件、例如 DRV103 (低侧高达3A)和 DRV104 (高侧高达1.5A)、看起来它们是为终端设备的这一领域而设计的、但它们已经很旧了。 如果您认为这些器件更合适、请使用该 GPN 发布新的 E2E 主题、以便与该终端设备相关的联系人可以为您提供帮助。

    谢谢!
    Alex
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    我想数据表横幅页面上提到的 PWM 首先吸引了我的目光; 我希望您至少有几个客户在 LF PWM 应用中使用该器件、例如直流灯调光器、或者如项目符号中所建议的那样使用直流电机速度控制。

    5060 UV/OV 功能不是必需的、因为这是一个具有良好控制电源的嵌入式应用。 5060本来是合适的、但栅极压摆率会更慢、因此在导通转换期间会消耗更多功率(我不想强制使用具有更大 SOA 的更大 MOSFET)。 我也不想使用传统(快速)栅极驱动器、因为我更希望在电流为3安培时不进行10至20 nsec 的24V 转换。

    我确实考虑了使用低侧 N-MOSFET 的"黑客入侵"解决方案、但与使用高侧栅极驱动器的源极跟随器拓扑相比、控制漏极电流压摆更困难。 我熟悉 DRV 系列、但没有看到需要这种类型的器件、因为 PWM 将从外部微控制器 IO 提供(因此、尽管它是我最喜欢的 Hack IC 之一、但也没有555)。
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    嗨、Rick、

    我理解并希望我们能够提供更多见解。 同样、考虑到低频率、它可能适用于您的应用。

    这一子弹确实引起了你的注意,但这可能包括在1995年该部分首次出现时。 20多年的历史、自那时以来、它的受欢迎程度有所下降、而 LM5060等较新器件则采用了其他基本开/关高功率分配电路、而不是专注于 PWM 的电路。

    谢谢、
    Alex