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[参考译文] LM5116:DEMB 和补偿网络

Guru**** 2370370 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5116
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/639763/lm5116-demb-and-compensation-network

器件型号:LM5116

大家好、我正在使用具有 LM5116的直流/直流转换器、它在最大8A 电流下具有9-18V 输入和7V 输出。

Webench 将 DEMB 直接连接到 GND、因为我知道这是为了在预偏置负载(二极管仿真模式)下启动转换器。

在我的应用中不是这样,问题是-我应该保持它连接到 GND 还是通过一个电阻器连接到 GND? 我看到评估板具有两个选项。 我在设计中添加了一个电阻器、但我不确定是否最好安装一个零欧姆电桥或一个电阻器。  如果需要电阻器-如何计算电阻器?

与 DEMB 相关-此线路的布线应通过(并与 CSG 布线分离)直接连接到 RSENSE GND? 在评估板中、DEMB 和 CSG 似乎连接在靠近 LM5116的位置、然后通过通用路由连接到 RSENSE。

第二个问题是环路补偿网络(COMP 和 FB 引脚之间)-我在 Webench 中进行了一些设计、对于相同的输入、我获得了补偿网络中组件的显著不同值。 如何检查这些值是否正确?  我尝试遵循数据表中的说明、但我不太清楚。

谢谢、

密海

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    如果不需要预偏置启动、则使用10kR 电阻器将 DEMB 引脚接地。

    是的、将 RDEMB 连接到 CSG。返回 Rsense GND 连接。

    产品文件夹中提供了快速入门计算器供您下载。  请参阅下面的链接。  

    您可以使用此选项来双击环路补偿。

    希望这对您有所帮助?

    David。

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    非常感谢 David。

    现在,使用计算器,我将获得第三组值:-)

    但我认为我已经(或多或少)弄清楚了背后的数学原理、因此它应该可以正常工作。

    还有一个问题-我 有一个4层 PCB、我将按照一般建议在2层上使用 GND 层。

    但我对主要开关元件(输入电容器、MOSFET、感应和电感器)下面的区域有疑问-我是否应该将 GND 平面全部放置在 PCB 的第2层上-包括上面提到的元件下面的区域?  我在 LM5116的评估板中看到、除了主开关节点(MOSFET+电感器)下方的区域外、整个第2层都有 GND。 另一方面、应用手册2155指出"切断大电流路径下的接地层会增加 EMI。"

    那么,哪种解决方案是最好的?

    谢谢、

    密海

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    您好、Mihai、

     

    建议使用第2层上的 GND。  此外、为了最大限度地降低由于电气耦合(dV/DT)引起的共模噪声、建议您在 FET 和电感器开关节点下切断第2层("贴片")上的 GND 部分。

    切割 GND 平面的问题与电路板上的非常大的切口有关、而不是如上所述的小"贴片"。

    当在电路板上(GND 层上)进行大切口时、差分电流的返回路径会被阻断、从而使电流长路(绕路) 流回电源的返回路径。  建议您尽量减小正负电流之间的面积、不要在 GND 层上进行大幅切割。  通过遵循此建议、可以最大限度地减小寄生电感、从而在 您进行差分路由时最大限度地减少磁场耦合、也就是说、正负电流彼此非常接近、从而抵消它们产生的磁场(H 场消除)。

    我希望这是有道理的。

     

    谢谢、

     

    David Baba。

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    非常感谢,这确实是有道理的!