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器件型号：LMR14030-Q1 尊敬的 TI：
，在我们的项目中使用 DC2DC LMR14030-Q1的杂散和 clk 谐波非常大。
当负载 非常低时、我发现杂散很小
但当电流高于1A 时、寄生电压非常大。
杂散 发生在30~300m 的频率范围内。
‘s，clk 和 it 谐波也很大。
除了 添加屏蔽层？外、我还能做些什么来降低 EMI
谢谢！
尊敬的 TI：
，在我们的项目中使用 DC2DC LMR14030-Q1的杂散和 clk 谐波非常大。
当负载 非常低时、我发现杂散很小
但当电流高于1A 时、寄生电压非常大。
杂散 发生在30~300m 的频率范围内。
‘s，clk 和 it 谐波也很大。
除了 添加屏蔽层？外、我还能做些什么来降低 EMI
谢谢！
您好、Gavin：
最强 的噪声为477k (clk）、 其谐波，3Ω 477kHz 噪声是使用 R1=k Ω、C17=680pF 时的改进。
如何降低 clk (477K)的噪声及其谐波？
谢谢！
我这边有一些建议：
1.将 D3靠近 SW 引脚和 GND 放置、 这是 EMI 性能的关键环路。 在您的布局中、它太远了。
2.确保 C6、C5、C4等高频电容靠近 Vin 引脚和 GND。 这也是 EMI 性能的关键环路。 我看到了您的布局、您将它们放在背面。您最好将它们放在与 IC 相同的一侧。
您可以将散热焊盘连接到 GND 以帮助改善热性能。
下面是一个布局示例供您参考：
您好：
感谢您的建议
我对一些项目(如：)进行了鉴定
1) 1)将 D3靠近 SW 引脚和 GND 放置
2)将1nf 靠近 Vin 引脚和 GND 放置
但它没有改进到477K、它是谐波
谢谢！
您好：
感谢您的建议。
我尝试执行一些操作、例如：
1)将 D3靠近 SW 引脚和 GND 放置
2)将 1nf 靠近 Vin 引脚和 GND 放置。
但是477kHZ 的噪声没有改善、而且是谐波
谢谢！
如果您专注于改善477kHZ 噪声及其谐波、那么高效的方法是使用如下所示的滤波器：添加电感 器 Lin、例如7440660022+添加 Cin3和 Cin4。 
