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[参考译文] BQ25898：将两个 BQ25898器件的 SYS 输出连接在一起

admin
Guru**** 2371820 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25898, TPS22976
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/639161/bq25898-connecting-sys-output-of-two-bq25898-devices-together

器件型号：BQ25898
主题中讨论的其他器件： TPS22976

你(们)好
在我们的设计中、我使用两种独立且完全相同的充电器(Bq25898)和电池(18650 -锂离子)配置。
每个充电器的系统输出(SYS)连接在一起并连接到负载。
MSP430独立配置充电器器件。 我使用此配置来在发生故障时隔离电池。
我计划通过使用 CE#引脚/ EN_Term (REG07.7)禁用充电器并禁用 BATFET 来实现隔离。
在 EVM 中、当我拉高 CE 输入时、充电器功能不会停止、但软件配置工作良好。 请澄清一下？
我也对设计有以下疑问。
1.是否建议将两个相同充电器的系统输出连接在一起？
2.如果电池发生故障、如果由 BATFET_DIS (REG09.5)软件隔离、它将通过 BATFET 从 SYS 汲取功率。
谢谢
Rejeesh S Raj

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    TI__Guru**** 2371820 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Rejeesh、

    对于1  、不建议将多个充电器的 SYS 输出并联、因为充电器通过调制降压转换器的占空比来控制充电电流。  如果两者都通电且均具有/CE 低电平、则具有较低电池电压 的充电器无法控制进入其电池的充电电流。  如果只有一  个充电器通电、而另一个未通电、则未通电的充电器 处于 HiZ 模式、并使电池完全导通、从而允许电流流出电池、但也流入电池。   898具有完全关闭 BAT 和 SYS 之间 BATFET 的功能。  因此、理论上、您可以打开一个充电器、关闭另一个充电器的 BAT FET、但计时很困难、因此不建议这么做。

    关于2、如上所述、您可以 关闭每个充电器的 BATFET、从而将 SYS 引脚与电池隔离。  假设充电器已通电、降压转换器仍能正常工作并为 SYS 供电。

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    TI__Guru**** 2371820 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Jeff：

    感谢您的回复。

    从您的邮件中、我得出结论、如果我将 SYS 输出连接在一起、电池具有较低的端子电压、那么很难正确充电？

    根据我的测试、我观察到 SYS 输出也取决于电池端子电压。 如果我将 SYS 输出连接在一起、那么具有较低端子电压的电池充电器对可能会从 具有较高 SYS 输出的电池充电器对灌入 SYS 输出电流？

    因此、我预计在上述情况下、总电流将会降低。 因此电池充电将延迟。 如果我错了、请给我评论    

    另请评论使用 TPS22976等双通道负载开关实现两个充电器的并联 SYS 输出的情况  

    谢谢

    Rejeesh S Raj

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    TI__Guru**** 2371820 points
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    Rajeesh、

    较高的电池电压充电器将会有一部分充电电流流向较低电压的电池。 然后、电压较低的电池将具有其充电器的电流以及该额外的非稳压电流。

    与 VINx=SYSx 和 VOUT1=VOUT2搭配使用的 TPS22976仍具有体二极管、即使 FET 关闭、也会允许来自更高电池电压的电流流经体二极管、从而降低电池电压。 如果该 IC 可反向使用、即 SYSx=VOUTx 和 VIN1=VIN2=SYSTEM、则它可能起作用。 我们需要通过论坛与负载开关团队确认这是否可行。
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    TI__Guru**** 2371820 points
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    Rajeesh、

    第二个想法是、我认为反向使用 TPS22976本身不会有所帮助、因为它没有电流监控功能、因此如果电流从高 SYS 流向低 SYS、则不知道何时关闭 FET。 我们必须添加两个比较器来监控从 VOUTx 到 VINx 的压降、然后在电压反向时打开 FET、这表示电流反向。 此外、我们可能希望在内部体二极管上添加外部肖特基二极管、以将最小 SYS 导通电压从2.5V+0.6V 降低到2.5V+0.3V。