[参考译文] BQ76200：放电/充电 MOSFET 放置

你好

[报价用户="WM5295"] CHG_EN 已接地，应对其进行控制。

很抱歉、出现故障。 C_ON 应连接到 CHG_EN、而不是 CP_EN。

[引用 user="WM5295"] R1似乎是泄漏路径。

让我们忽略它、它是早期电路的余数。

[引用 user="WM5295"]可以为 CHG 控制的 Q3设计一个电路来提供电平转换和栅极控制。[/引用]

这不是 BQ76200的意义吗？

[引用 USER="WM5295]*一般而言、显示的配置将不起作用、因为 CHG 引脚在 VDDCP 和 BAT 电势之间摆动。 当您希望放电关闭时、CHG 引脚将保持 R5处的大约 BAT+电压、这将泄漏到放电输出。 根据您的电压、Q3 FET 可能会受到风险、电荷泵可能会被 R5过载。[/quot]

CHG 和 DSG 输出之间是否存在任何差异？ 如果不是、当没有 Q3/R5或它们位于数据表中 Q1/Q2左侧时、为什么不会出现这种问题？ 这可以通过使用 CHG 切换 DSG 来解决吗？ 在数据表中、FET 的栅极-源极始终有一个10M 电阻器、因此为什么这会使电荷泵过载？ 假设40V BAT 和50V VDDCP、470nF C1需要~1秒才能从50V 到40V 到10M 进行放电。

假设我们的方案中没有 Q3/R5。 如果 DSG 仅降至 BAT 电势、BQ76200应如何关闭放电 FET (假设放电时的负载为~Ω BAT - 5V)？

您好 Dario、
bq76200用于控制采用数据表所示共漏极配置的 FET。 CHG 和
DSG 引脚的行为不同。 CHG 在 VDDCP 和 BAT 引脚电压之间摆动。 DSG 在 VDDCP 和 Pack 之间摆动
引脚电压、并且它可以跟随 PACK 引脚到0V。

bq76200不能直接支持采用共源配置的 FET。 如果使用 CHG 来控制的栅极
关断时、放电 FET CHG 不会低于 BAT、而放电 FET 作为源跟随器运行
电源电压大约低于 BAT 下的 Vgsth (您的最后一个问题)。 驱动放电栅极的 DSG
看起来是可以的、因为它可以从0向上摆动到 VDDCP。 如果没有负载、DSG 将上拉 FET
通过10M 电阻器的源极和栅极。 通常情况下、来自10M 电阻器的负载电流为10V/10M = 1uA。 如果
放电时有负载、充电时没有充电器、如果 DSG 要按建议在50V 时升至 VDDCP、则负载
50V/10M = 5uA、这将在电荷泵的能力范围内、但 FET 不会令人满意
50V Vgs。 此外、还有一个内部钳位、可防止 DSG 的上升高于约20V
PACK 引脚。 CVDDCP 将放电至钳位、驱动器将关闭并循环。

为了使用具有放电保护充电路径的大电流放电路径、一个 bq76200可以控制大电流
放电 FET、而另一个 bq76200控制(小型)共漏极电荷和放电 FET。 很明显
由于2个驱动器和3个 FET 的成本、尺寸和成本、这是不可取的。

如上所述、可能会添加一个电路以使共源电荷 FET 栅极(Q3)降至以下
CHG。 考虑 CHG 和 BAT 引脚之间的 P 沟道 FET。 如果充电 FET 需要快速关闭、请考虑 A
与 www.ti.com/lit/slua795的图3类似。 防止 CHG 在充电时导通(充电器电压)
不会通过系统行为出现、应避免电荷泵耗散到外部栅极钳位。
我尚未测试共源极电路、建议将该器件用于共漏极实现。