[参考译文] TPS27081A：P 沟道 FET 的 CGS

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器件型号：TPS27081A
主题中讨论的其他器件： CSD17484F4

您好！

在负载开关 TPS27081A 中、高侧 P 沟道 FET 的栅极电容(或电压充电)是多少。需要一个上拉电阻器(R1)来关断 p-ch FET、并且我需要能够估算其栅极电容在低侧 n-ch FET 关断时放电的时间。我在数据表中看到的最接近的参数指定了负载电容放电的时间、而不是所需的时间。

谢谢

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2409930 points

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您好、Pongo、

这是一个较旧的器件、因此我需要进行一些调查以找到 FET 的 CGS。

您的应用要求是什么(输入电压、电流负载)？此外、您是否在电路中添加 C1以实现受控的输出上升时间？如果是、那么我们还有很多其他更适用的负载开关。这些其他器件可提供受控的上升时间和极快(微秒) 的 FET 关断。

谢谢、

Alek Kaknevicius

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2409930 points

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您好、Alek、

否、不会添加 C1。需要快速开关、因此不会有意降低转换速度。考虑此负载开关的原因甚至是因为它具有相当宽的输入电压范围。现在主要的困难是寻找输出功率合适且还可以在宽输入电压(Vcc)范围内运行的快速器件。

将使用低侧逻辑。输入电压("Vcc")将在1.2和9至10伏左右的最大值之间变化。我意识到我们正在检查的负载开关的额定电压仅为最大8伏。该最大值有一些不可取的权变措施、因此越高的最大 V 值肯定会更好。快速关断非常重要、在所有输入电压下、我需要的关断时间至少小于1微秒。理想情况下、关断时间小于300ns。输出必须能够快速驱动诸如 CSD17484F4的 femtofet、或者其输出应该能够"伸缩"到更高的功率水平。此解决方案不必是单片负载开关、而设计选项是从分立式组件负载开关到其他器件的一系列功能的广泛开放式解决方案。最坏的情况是、我可以使用具有低 CGS 的 TI FET 创建定制负载开关、但我不知道任何具有足够低 CGS 的 FET、以启用高值上拉电阻器(10k 或更高)；只有低值电阻器可实现快速关断。

谢谢

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2409930 points

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您好、Pongo、

您提到、TI FET 的 CGS 不够低、不适合您的应用、但如果是这种情况、则 TPS27081也不适合。与我们的负载开关(包括 TPS27081)相比、我们的独立 FET 具有更低的 CGS 值。

谢谢、

Alek Kaknevicius

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