• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 1 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 100 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ24195：外部额外反向 MOSFET Q1的问题

admin
Guru**** 2390730 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24195
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/650322/bq24195-question-for-the-external-extra-reverse-mosfet-q1

器件型号：BQ24195

您好！

在 BQ24195的数据表中、已经有内部 RBFET Q1、为什么在推荐的电路中仍然需要额外的 RBFET？

这两个 MOSFET 的区别是什么？

  • 0
    TI__Guru**** 2390730 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Wu、

    当 bq24195上的 OTG 输出通过 PMID 时；在升压模式期间、内部 Q1保持导通状态。 这意味着在 VBUS 上仍然可以看到升压输出电压。 外部 FET 可防止在器件的输入端看到 OTG 电压。

    插入适配器后、外部电路还有助于禁用 OTG。