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[参考译文] BQ2205LY:BQ2205LY

Guru**** 2387060 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/648846/bq2205ly-bq2205ly

器件型号:BQ2205LY

/RST 输出是否应该连接到微控制器的复位输入?

我们正在处理外部电池供电 SRAM、并在下电上电期间出现内存丢失。 我们不使用/RST 输出、因为数据表上的输出被描述为可选。

您能澄清一下吗?

谢谢、

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    你(们)好、Eduardo

    RST 引脚具有双重功能。 它将生成一个复位或者可被用于通过一个外部按钮按下来复位器件。

    图2显示了“生成的”复位。 基本上、当主电源(VCC)降至 VPFD 以下时、该器件会使用纽扣电池备份 SRAM。 它将其保持在低电平–可能会阻止控制器在电源发生故障或完全恢复之前尝试执行某些操作。 在 VCC 恢复后、它会为 tRST 保持 RST 引脚低电平。

    CE (SRAM 芯片启用)是器件的输入,而 Cecon 是“已调节”CE。 图2还显示了 Cecon 的 VCC 故障。 如果需要、实际上为2个 SRAM 组提供 CECON1和 CECON2。 表1显示了 CE/、A (地址或组选择引脚)、CECON1和 CECON2的真值表。 如前所述、如果电源出现故障、则 Cecon 引脚处于高电平。

    作为一个输入、如果按钮被保持在低电平以达到"tPBL"(按钮低电平)、那么 bq2202LY 将保持 RST 引脚为低电平以实现一个额外的 tRST、这将为系统生成一个复位。 请注意,一个非常小的按钮(1µs)可以在 RST 上生成一个“长”30ms 至85ms 脉冲。

    在任何情况下,RST 功能(内部或外部)都不会影响 Cecon 引脚上的情况。 因此、RST 不会影响存储器。

    当内存损坏时,这通常是少数几个问题之一。
    VCC 上的压摆率太快(请参阅 TF)。 向 VCC 添加更多电容。
    2、引脚低于绝对最大值(-0.3V)。 这可能会导致各种问题、但主要可能导致数据丢失。 原因可能是接地不良、隔离不良或各种其他问题。 可能会使 RST 悬空并出现负尖峰?

    快速问题标识符:
    a.检查故障电源上的 VCC 压摆率。
    b.检查所有引脚是否有负下冲。
    c.将 RST 拉高。

    谢谢
    Onyx
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    加电期间、/CECONX 在 tCER 期间仍然为低电平(请参阅圆圈)并启用外部 SRAM。 shouldn' t be using the /RST output to prevent memory problems?(是否使用/RST 输出来防止内存问题?)

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    爱德华多

    图2中的图不正确。  CECON1和 CECON2引脚将保持高电平、直到 VCC 通过 VPFD 上升后 tCER 为止。

    满足 tCER 后、它们将遵循 CE。 这应该能够通过 VCC 和 CE、CECON1和 CECON2上的示波器进行验证。

    RST 引脚完全不影响 CE 引脚。

    此致、

    Dick