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您好 Kato、
感谢您关注 LM5109B。 我是 TI 高功率驱动器领域的应用工程师、将负责回答您的问题。
LM5109B 应用具有从 VDD 上升到的延时时间的 HB 时不会出现问题。 我对该应用确实有一些疑问。
大多数应用为高侧提供自举电源、并在 VDD 和 HB 引脚之间连接一个二极管。 当低侧驱动器输出变为高电平并且 HS 引脚切换至接地或 VSS 电位时、HB 至 HS 电容器充电。 在您的应用中、是否有用于 HB 偏置电源的自举电源和自举二极管? 从 VDD 上升到 LI 输入信号是否有10秒的延迟、这会导致从 VDD 到 HB 电源的延迟?
是 VDD 初始上电以及驱动器输入脉冲上的一些延迟的情况。 如果 HS 节点上存在高阻抗、则有一条从 VDD 到引导二极管的路径为 HB 电容器充电、如果两个 MOSFET 都关断、则会导致 HS 节点上升。 这对驱动器来说不会是问题、但在低侧 FET 导通之前是预期的观察结果。
此致、
Richard