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[参考译文] LM5066I：用于限制 dv/dt 电路电流的电阻器

admin
Guru**** 2386610 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/647860/lm5066i-resistor-to-limit-current-for-the-dv-dt-circuit

器件型号：LM5066I

大家好、团队、

我们的客户担心、当断路器对慢速充电0.1 μ F 电容器放电时、PNP 晶体管会出现问题。  是否最好将10至50欧姆电阻器与发射极串联？

 

它是否会有任何损害？  您是否知道是否没有必要？

我们的客户提供了实施方案的原理图、我可以通过电子邮件提供。

谢谢、此致、

梁杰荣

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    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Jerry、

    您提出了一个非常好的问题。 我们对 PNP 的故障没有任何问题。 这些器件的额定连续电流为500mA、但随着 CDV_dt 的增大、如果对50V 放电、电流可能会高得多。 电流将受到晶体管的 Hfe 的限制、电流为50mA 时为~ 70、此后电流会迅速下降、因此峰值不是很大、最有可能的是、在使用数年后没有发现任何问题。 PNP SOA 曲线仅下降至10ms、我们将处于<100ns 的范围内、因此未知器件可达到的确切峰值。 发射器上的(30-50)欧姆电阻器将帮助并从电容器中耗散能量、因此使用更高的栅极来限制峰值功率并将总耗散能量除以是一个不错的主意。 如果设计已经完成、并且您无法更改布局、则可以增大基极电阻器以帮助 Hfe 增益更好地工作。 5公里似乎合理。 在实验中检查任一方法。

    Brian
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    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    感谢您的见解、非常感谢您的详细解释。