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[参考译文] TPS61169：器件本身的损耗

admin
Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS61169
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/647890/tps61169-loss-of-the-device-itself

器件型号：TPS61169

您好！

我想使用 TPS61169的器件。
我正在检查电路的损耗、我想问您一个问题。

数据表中显示了效率、如下所示。
您能告诉我 TPS61169器件本身的损耗吗？
由于 TPS61169器件没有 WEBENCH、因此无法计算器件本身的损耗。

此致、

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    您好 Kaji、
    我们没有有关器件本身的损耗数据。 但您可以计算为静态电流乘以 Vin。 请注意、这不包括 MOSFET 开关和 RDS 功率损耗、这可视为升压转换器损耗。
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    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢你的答复。

    我将使用功率级设计器计算内部 FET 损耗(DC)。

    那么、器件本身的损耗几乎是内部 FET 的损耗？
    或者是否需要考虑逻辑电路和栅极驱动器的损耗？

    此致、

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    您好 Kaji、
    是的、内部 FET 的损耗最大。 IQ * Vin 中考虑了逻辑电路和栅极驱动器的损耗。