[参考译文] BQ40Z60：无法放电或充电

您好、Lian、

看起来 CHG 和 DSG FET 可能已关断。 请尝试单击 FET_EN 命令按钮、查看这是否有用。

此致、

Kevin

您好、Lian、
此外、操作状态中的保险丝标志被置位。 发送保险丝切换命令(0x0001D)以将其清除。
谢谢
Onyx

您好、Onyx、

我禁用了 FET_EN、并启用了 DSG_FET。 但测得的 PIN30电压仍然为0。

我还发送0x001D 命令、保险丝的位仍然有效。 我发送了几次、保险丝根本没有变化。

Lian

您好、Lian、
您的充电 FET 仍处于禁用状态。 您已设置了 xchg 标志。 您的 sniipet 不会捕获安全状态和警报寄存器、因此可以查看是否设置了安全状态。

MfgStatusInit[fus_EN]设置为什么？ 您应该发送命令0x0026以允许 FW 控制保险丝、然后单击 FET enable 命令按钮。 请参阅第11.1.22节。

您需要确保熔丝标志在操作状态寄存器中被清除
谢谢
Onyx

您好、Onyx、

下面是我的制造状态初始化和寄存器状态的快照。

无论我启用或禁用 FUSE_EN、运行状态 A 寄存器中的 FUSSE_EN 位始终会被置位。

你(们)好，Lian
您的 xdsg 标志现在已清除、这意味着您现在应该能够充电或放电。 发送您的 FET 使能命令、以便我们查看是否设置了运行状态中的 CHG 和 DSG 标志。 此外、如果您使用电路板进行此测试、可以将保险丝拉至 VSS、以便我们了解这是否有帮助
谢谢
Onyx

XDSG 和 xchg 都被禁用。

首先、当 I 被测时、引脚 AFEUSE 被置为无效(0V)。 即使我将 AFEUSE 拉至低电平、它也不会发生任何变化。

如果您查看(DSG)的寄存器状态、则会发现该引脚30本应已启用、但测量的电压仍为0V。 我猜保险丝的有效位会阻止 DSG 和 CHG FET 工作。

请提供建议。

Lian

您好、Lian、

设置的保险丝标志肯定是阻止充电和放电 FET 导通的原因。 我在电路板上测试了命令0x001D、并且能够打开和关闭保险丝标志。 当保险丝标志打开时、充电和放电 FET 标志 关闭。 请参阅片段。 您需要写入监测计地址0x16。 我从您的代码段中看到您正在写入地址17。

我想我注意到，你的旗帜和我的旗帜之间的差异是你设置了 chgM 和 AM 的旗帜。 请尝试清除这些内容 并重试

有趣的是、我无法通过 SMB 更改电池模式(0x03)的值。 该值应为0x0001。

正如您在快照中看到的、我尝试将0x0001写入0x03的寄存器、但它不起作用(写入命令后、读取值仍为0x6001)。

我已经尝试了0x16和0x17的地址、这两个地址似乎都能够与监测计通信。

我想提出一件事。 如果我对0x0000进行了处理、则值将为0x6000。 因此、我可以更改 LSB (ICC 位)、但不能更改 ChgM 和 AM 位。

您能否使用 TI.com 上的默认固件对电量监测计进行编程、然后查看是否清除了该保险丝标志

谢谢
Onyx

您好、Onyx、

我焊接了另一个板。 现在保险丝看起来还可以。 但是、当我插入交流适配器时、器件(bq40z60)会快速升温、并且正如您在快照中看到的那样、内部温度大约为63C。

如果没有交流适配器、充电器能够输出、VSYS 接近电池电压(~16V)

不确定是什么导致了发热。 我们设计了一个用于连接芯片焊盘和 PCB 的焊盘来散热。 但我不知道为什么它仍然很热(当我触摸芯片时我可以感觉到它)。

与我的设计和 EVM 相比、原理图中的 Q3 (chg、DSG FET)唯一的区别。 而不是 CSD17308Q3I 将其替换为 Si7272DP。  原理图中的 Q2仍然是 CSD17308Q3。

谢谢

我看不到您的原理图有任何问题。 bq40z60下方的铜焊盘是否提供了良好的储热器或仅在顶层提供了一个小焊盘？ 您可以参考 EVM 用户指南中的 bq40z60EVM 层以获取指导。