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[参考译文] LM5069：连接48V 后 MOSFET 烧坏

admin
Guru**** 2411150 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5069

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/638432/lm5069-mosfet-burn-after-connecting-48v

器件型号：LM5069

尊敬的 TI：

我正在 使用 LM5069设计浪涌停止和反向电压保护、该设计遵循 TI 参考链接中的设计、如下所示。

http://www.ti.com/lit/an/snva683/snva683.pdf

我在设计中考虑了 D3的反极性保护。 在我将输入端连接到48V 时、发现 Q1 MOSFET 将会烧坏、MOSFET 为80V 62A、应能够承受。 请参阅随附的原理图并给出相应建议。

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    TI__Guru**** 2411150 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    您有一个33V 栅极钳位、这意味着输出电压被钳位至33V -(Vth 至 Vplate])、~ 30V。  如果您在任何负载下的输入上维持48V 电压的时间超过快速浪涌(这正是其设计的限制)、则会由于 VDS * I-load 而导致 FET 过热。  wrt FET 选择、请访问 www.ti.com/hotswap、咨询设计计算器工具 、并在 您运行的最大输入电压下输入您的所有系统参数、包括 FET SOA #。

    Brian

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    TI__Guru**** 2411150 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好！

    栅极钳位为33V、但我移除了 Dz 33V、当我使用48V 上电时、MOSFET 的源极也将短路至漏极。

    MOSFET 完全没有热量。 您能帮我提供这方面的建议吗？
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    TI__Guru**** 2411150 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您可能遇到 SOA 故障。 SOA 是芯片级的热损坏、可能不足以加热外部封装。
    使用计算器工具确定您的所有参数是否一致。

    Brian