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[参考译文] BQ24780S:BQ24780S

Guru**** 2553260 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/739071/bq24780s-bq24780s

器件型号:BQ24780S

bq2478080 数据表建议在 A/D 底座 IN 引脚和 ACDRV 引脚之间放置一个1000pF 电容器(PC8905)、并 在 CMSRC 引脚和 ACDRV 引脚之间放置一个0.047uF 电容器(PC8922)。

请允许我帮助您了解我们为什么要分别放置这些电容器、以及 我们可以使用的低集电容器的多少。  

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    这些电容器用于软启动 FET 导通、以便在上电时减少流向下游电容器的浪涌电流。 如果没有它们、您的输入电源可能会下降并误触发 ACDET、从而导致 FET 在对这些电容器充电时多次导通和关断。
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    感谢您的答案、我想知道如何确定这些电容器的值。 这里有任何计算方法吗?

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    确定最小电容没有简单的计算方法。  这通常根据经验根据  SYS 轨上的总电容来确定。  但是、数据表提供了有关最大尺寸的指导:

    •CGS 应×40 μ F 或高于 CGD、以避免适配器热插拔期间 ACFET 错误导通

    •在20ms 内完全导通 ACFET、否则、充电器 IC 将考虑导通故障、因此建议的4k Ω+ CGS 时间常数必须小于20ms

    我建议从数据表的建议值开始、测量示波器上的启动波形、如果在没有脉冲的情况下成功启动、您可以从该值开始降低。

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    您好:

    从您的答案来看、CGS 应该是 CGD 的40倍或更高。  

    我想知道 有关 ACFET 虚假导通的具体过程。

    此外,我还想知道如何确定多个40的值。

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    CGD 和 CGS 电容器构成电容分压器。  如果它们的尺寸太小、 则可能允许快速输入电压尖峰通过并导通 ACFET、从而导致错误导通。  

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    ,我的理解、电容器软启动 FET 导通的方式是通过 4k Ω+ CGS 延迟 ACDRV 的时间。  如果是、我们为什么仍然需要 CGD、因为它太小、无法产生影响

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    ,我的理解、电容器软启动 FET 导通的方式是通过 4k Ω+ CGS 延迟 ACDRV 的时间。  如果是、我们为什么仍然需要 CGD、因为它太小、无法产生影响

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    您好!

    FET 的 Qgs 具有 Qgs1 (Vgs 从0到 Vgsh)和 Qgs2。 从驱动器信号到 FET 启动到开关的延迟主要由 Qgs1和电阻器决定。 FET 电流和电压转换主要由 Qgs2 + Qgd 决定。