主题中讨论的其他器件: DRV8323、 CSD88599Q5DC
您好!
我使用 LM5060在 BLDC 电机 PVDD 上实现 OV、UV、OC 和反极性保护的保护电路。 我使用 DRV8323来驱动 BLDC 电机。 PVDD 为24V。
作为保护电路的参考、我采用了图 39 (具有反极性保护和二极管以实现 OUT 引脚保护的应用)。 我还有一个图中提到的接通延迟电容器(DNP)配置。 28.
我在 PVDD 上的 H 桥附近连接了两个390uF、50V 大容量电容器。
我的担忧是:
我 观察到 MOSFET Q1的发热测试(如图所示) 39)损坏。 栅极和漏极短路。 我使用的 MOSFET 器件是 IRFB7440PBF。 我想知道故障的可能原因并更新设计。 请建议我。
同样、如第8.2.2节所述、仅 当输出负载为高容性时才需要 D5和 D7。在我们的设计中、两个390uF 用作大容量电容器、电机的相位电感为131uH。 我想知道应将什么负载视为高容性负载? 如果两个390uF 电容器不是高电平、那么我应该将其从电路板上移除吗?
3.如果负载电容(390uF + 390uF)较大,那么我是否应该如第8.2.1.2.9节所述连接限流电阻器 Ro?
此致、
Amit

