• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 4 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 188 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LMR23625-Q1：内部 FET 的 LMR23625-Q1特性

admin
Guru**** 2524550 points
Other Parts Discussed in Thread: LMR23630-Q1, LMR23625-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/735593/lmr23625-q1-lmr23625-q1-characteristics-of-the-internal-fet

器件型号：LMR23630-Q1LMR23625-Q1
主题中讨论的其他器件： LMR23625-Q1

您好！

我们收到了客户关于 LMR23625-Q1和 LMR23630-Q1的问题。
请帮帮我们。

[问题]
您能否提供以下内部 FET 特性？ 它们需要估算 IC 的功率耗散。 它们不需要保证。 他们会将其用作参考。

 低侧 FET 和高侧 FET 的导通时间
 低侧 FET 和高侧 FET 的关断时间
 低侧 FET 上体二极管的 Vf
 开/关转换的死区时间
 低侧 FET 和高侧 FET 的 Qgd
 低侧 FET 和高侧 FET 的输出电容

此致、
tateo

  • 0
    TI__Guru**** 2524550 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Yamashiro-San、您好！

    我将查看这是否是我们已经拥有并可以共享的数据。 如果不是、则此请求将需要额外的时间来进行测量。

    我将在本周跟进您。

    此致、
    Katelyn Wiggenhorn
  • 0
    TI__Guru**** 2524550 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、感谢您的回复。 我们期待您的反馈。

    此致、

    tateo

  • 0
    TI__Guru**** 2524550 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、这方面是否有任何更新？ 如果您能告诉我们您的当前状态、我们将不胜感激。

    此致、

    tateo

  • 0
    TI__Guru**** 2524550 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Tateo、

    请参阅我发送给您的电子邮件。 其中一些信息不属于公共论坛。

    此致、Robert