[参考译文] BQ20Z655-R1：BQ20Z655-R1不可更改的寄存器值

您好、Selva、

您的 encr 会限制该值、因为设置的最小值为6000mV。 您需要一个修改后的 encr、允许您写入较低的值。

术语 V 与闪存更新正常电压没有关系。 但是、您的每节电池项 V 最好保持在3000mV 以上。

是的、3000mV 项 V 将提供正确的 DSG 端接。

您好、Batt、

这是否意味着数据闪存值不用于学习周期计算？ 由于数据闪存值不会更新到6000mV 以下、这不会导致学习周期计算中出现任何问题？

数据闪存是否仅供用户参考、不用于任何实际阻抗计算？

如何修改 encr 文件中的限制？

您能否为我提供一个修改后的 encr 文件、其中包含更少的闪存更新 OK 电压值、这将更适合2节电池应用。

您好、Selva、

是的、我可以将该文件发送给您。 请让我等到今晚。

您好、Batt、

感谢您提供该文件。

您能否回答我在上述帖子中的问题、了解这一切的工作原理。

您能告诉我如何修改此 encr 文件吗？如果以后我想更改某个值、那么我可以自己进行修改。

Selva、

我们不允许客户更改 encr 文件。 这些是由 BMS 中的工具组修改的设置文件。 甚至我们也无法访问它们。

您好、Batt、

感谢您的文件和帮助。 现在、我可以执行适当的学习周期。

您好、Batt、

我在另一篇文章中看到、encr 文件应放置在 C：\Program Files (x86)\Texas Instruments\bq Evaluation Software 文件夹中。

我尝试过此操作、但闪存更新正常最小电压没有改变。 然后、我将您提供的 encr 文件重命名为 bq20z655_0_03.encr、并删除了文件夹中同名的文件。 然后、我可以将最小值更改为高达4500mV。

1->我是否执行了正确的过程？ 如果不是、请指导我如何正确执行该操作。

2->我更改了已学习的 DataFlash 文件的闪存更新正常电压并生成了一个黄金文件，它是否正常，或者我必须这样做
是否由于新的 encr 文件而再次完成学习周期？

3->bq20z655-R1未找到生成 golden 文件的任何正确文档。 我使用了以下过程。 请验证是否为
过程正确、如果不正确、请告诉我生成黄金文件的正确过程。

更新状态更改为0x06后、执行以下步骤。
读取数据闪存值并将其保存在文件中。
2.用记事本打开文件，将“更新”状态更改为0x02，并将“周期计数”更改为0。
使用默认的 senc 文件对器件进行编程。
使用默认 senc 文件进行编程后、从 bq chem 中选择适当的电池化学成分并进行更新。
5.加载修改后的 DataFlash 文件并将其写入监测计。
6.进入 PRO 屏幕并将设备置于 ROM 模式。
7.从顶部选择"Flash Memory"选项、然后选择"Read to file"选项。
保存的 senc 文件将是将在生产中使用的 Golden SENC 文件。

一些人还使用 Manufacture Access 子命令"Generate CSUM"在步骤2之后或步骤4之后重新计算 DataFlash 校验和、但我不知道此步骤是否强制执行、我在 TI 关于创建黄金映像的建议中没有看到此要求。