您好！
很抱歉、我花了这么长的时间来回答。 我不得不参加另一个项目。
将5600pF 自举电容器替换为0.1U 电容器后、问题仍然存在。
问题是间歇性的。 我可以更换芯片、它可以正常运行几次。 在第2次加电和第10次加电之间、当电源达到电流限制时、我的48V 总线电压降至3V。 红外成像显示 UCC27211DR 在上电后不到3秒内便完全超过90C 外壳温度。 芯片被炸、因为在更换芯片之前无法恢复主板。 这不是"一次性"。 我有10块电路板、问题完全相同。
今天我将更换芯片并获取范围数据。 同时、您还有其他建议吗？
谢谢你。
在尝试使电路板能够承受足够长的时间以获取数据时、我认为我偶然发现了问题。
最初、我将"enab"端口连接到高电平。 这意味着我的栅极驱动信号将在5V 电源出现时立即启动。 5V 电源在大约8ms 内启动。 16V 电源- UCC27211的 Vdd -需要花费超过50ms 才能达到全电压。 我不确定这会如何杀死栅极驱动器、因为我的负载是3.3 K 电阻器而不是变压器、但这似乎是一个坏主意。 现在、我将确保在启用栅极驱动之前、16V 电源已启动。 我发现的第二个问题是选择不当的器件。 我在 SN74AS1008AD 四路与门前面使用 RC 延迟。 在启动期间、引脚3和11偶尔会出现大量噪声、我认为这是由于缓慢转换而导致的栅极振荡。 振荡处于低 MHz、我可以看到它导致了问题。 但是、我预计会出现击穿问题、最终会使用死 FET 而不是死驱动器。 下面是一些随机启动示例。 请注意、为了使电路板能够承受足够长的时间来获取数据、已从电桥上断开了48V 电压。
我的计划是使用施密特触发器替代与门。 我将告诉您它是怎么发生的。
再次感谢。
Jerry
