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根据10月的最新数据表更改- NAND 门更改为和。 是这样吗？ 裸片是否发生了变化？ 真实表格显示不是。 IE IN+= 1、 IN-= 0、NAND 输出将为0、PMOS 开启 NMOS 关闭。 栅极意味着将交换 N/PMOS 开/关状态。
逻辑是否与预量产裸片相同？
谢谢
很好、很高兴知道没有任何变化、我在预制版中看到的行为与真值表相匹配。
但在这种情况下... NAND 正确。
当栅极输出变为_LOW_时、PMOS 打开(OUTH=H)、NMOS 关闭(OUTL =开路)
这仅发生在 IN+= 1 IN-= 0 时、例如 IN+ NAND！ 在-
Daniel、您好！
与门之前实际上有一个"不"的 IN -施密特触发器。 因此、如果 IN+= 1和 IN-= 0、则输出为高电平。 基本上、对于同相配置、需要通过将其拉低来击败 IN-、以便通过对 IN+进行脉冲来使输出为 EN。 查看表7.4 - OUTH = 1、仅当 IN-为低电平且 IN+为高电平时。
谢谢、
