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[参考译文] LM3481：UVLO 公式至背对背计算关断电压

admin
Guru**** 2535150 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/732962/lm3481-uvlo-formula-to-back-calculation-shutdown-voltage

器件型号：LM3481

您好！

使用 UVLO 电路、可以很容易地反向计算使能电压、因为它是正向的。 但是、关断电压公式取决于使能电压。 因此、我已按如下所示对其进行了更改。 这是正确的吗？

从(取决于 Ven)：

Vsh = 1.43V *[(R8*Iuvlo/1.43V)-1 ]*[ Ven - 1.43V]

更改为(独立于 Ven)：   

Vsh = 1.43V + R7 *[(1.43V/R8)- Iuvlo ]

此外、考虑到1.43V 和 Iuvlo 的最坏情况、Iam 在关断电压方面会有很大变化。 在内部测试期间会注意到这一点。 或者您是否测量了任何最坏情况下的容差限制？

谢谢、

Albin

  • 0
    TI__Guru**** 2535150 points
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    您好、Albin、

    我相信您的数学是不正确的。 我最终确定 Vsh = 1.43V - R7 *[(1.43V/R8)+ Iuvlo ]。  

    谢谢、
    Richard

    编辑：

    此外、数据表中所述的关断电压和使能电压是用户定义的、而不是 IC 定义的。 您能否重新设计电阻器网络并查看关断电压是否仍然发生变化？

  • 0
    TI__Guru**** 2535150 points
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    您好 Richard、

    使用上面的公式、我得到的结果是正确的。 我的设计值为 R8=94k、R7=196k。 使用上述公式、Vshutdown 为负。

    但是、使用我共享的公式、我得到的最小值：2.87V 典型值：3.43V、最大值：4.23V。 (电阻容差为2.4%)。 我还使用 SIMETRIX 中的仿真验证了这一点。 我是为了你的信仰而附加的。 最后、我想知道我是否可以使用 IC 实现<10%的效率。

    是的、我同意容差将随外部电阻器的不同而变化。 但是在关断电压定义中，Vuvlosen 和 Iuvlo (IC 定义的参数)在最坏的情况下都起着作用。

    e2e.ti.com/.../UVLO-TICopy.xlsx

    谢谢、

    Albin

  • 0
    TI__Guru**** 2535150 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Richard、

    我能不能对该请求提供一些反馈。  我需要最终确定结果。

    此致、

    Albin

  • 0
    TI__Guru**** 2535150 points
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    您好、Albin、

    感谢您的耐心等待。 我已经重新完成了计算、发现了一个错误、修复后会得到与您相同的结果。

    在减小变化方面、使用容差较低的电阻器将减小关断和使能电压的范围。 使用电阻容差为1%的计算器、使能电压的变化小于10%、但关断电压仍大于10%。  

    由于关断电压和使能电压确实依赖于 IC 参数、因此必须考虑与 UVLO 源电流和 Vuvlosen 相关的最坏情况值、并考虑电阻器值。

    Richard

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    TI__Guru**** 2535150 points
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    您好 Richard、

    感谢您的反馈。

    是否可以提供 UVLO 源电流和 Vuvlosen 的高斯分布值？ 可能为4.5Gauss. 因为 IC 参数导致的容差在关断期间处于较高侧。

    这将有助于我们估算容差。  

    此致、

    Albin

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    TI__Guru**** 2535150 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Albin、

    我们无法提供 UVLO 源电流和 Vuvlosen 的高斯分布值。 但是、您可以在六西格玛变体中使用这些值的限值来帮助您估算容差。

    此致、

    Richard