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[参考译文] CSD88599Q5DC：电源开关额定电压

admin
Guru**** 2813875 points

Other Parts Discussed in Thread: CSD95379Q3M, DRV8305-Q1EVM, DRV8305

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/738174/csd88599q5dc-power-switch-voltage-ratings

器件型号：CSD88599Q5DC
主题中讨论的其他器件：CSD95379Q3M、 DRV8305-Q1EVM、 DRV8305

你好

·       我们知道、您的 MOSFET 电源开关 CSD19538的额定电压适用于需要100V-5Amp 的应用。 是这样吗？

·       我们还了解到、您的双路 MOSFET 开关 CSD88599的额定电压可用于需要60V-40A 电流的应用。 是这样吗？

·       我们还知道、上述是您在电压方面的最高额定 MOSFET 开关。 是这样吗？

·       如果我们不正确、请告知我们您的最高额定 MOSFET 开关和最高额定双 MOSFET 开关在阻塞电压方面的情况

 

此致

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    TI__Guru**** 2813875 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Sam：
    感谢您的提问。 请参阅下面的我的答案。
    是的、在25°C 的环境温度下、CSD19538的最大额定 Vds 为100V、最大额定持续电流为4.9A。
    在25°C 的环境温度下、CSD88599的最大 Vds 额定值为60V、最大 rms 电机绕组电流额定值为40A。
    正确、单离散 N 沟道 MOSFET 的最高电压(VDS)额定值为100V、双 N 沟道 MOSFET 的最高电压(VDS)额定值为60V。
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    TI__Guru**** 2813875 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好

    非常感谢您的回答。 我们需要这些 MOSFET 开关。 如果可以的话，我还有更多的问题；

    • 如果我们需要更高的额定电压、您是否建议使用多个串联的开关来实现我们所需的阻断/应用电压(400V)、请参见附件。
    TI 是否打算在不久的将来发布具有更高额定电压的 MOSFET？
    • TI 是否有任何将栅极驱动器与 MOSFET 开关封装在一起的产品。
    •  如果不是、您打算在不久的将来发布此类产品。

    e2e.ti.com/.../Questions_2D00_2.docx

      

     

     

     

     

     

     

     

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    TI__Guru**** 2813875 points
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    尊敬的 Sam：
    这是一个有趣的应用。 您是否可以共享任何其他信息？ 理论上、MOSFET 可串联使用以承受更高的电压。 在实践中、单个电压更高的器件是更好的解决方案。 PCB 布局将更清晰、需要驱动的栅极更少。 共享电流不是问题、因为器件串联。 但是、由于开通和关断之间的差异、某些器件可能会看到更高的电压应力。 没有计划发布新的 MOSFET、其额定电压高于100V 的分立式 MOSFET 和60V 的双 MOSFET。 TI 确实制造了功率级器件、其中包括采用半桥配置的栅极驱动器和两个 FET。 但是、这些器件的最大电压限制为30V、适用于使用外部 PWM 控制器的单相和多相同步降压转换器应用。
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    TI__Guru**** 2813875 points
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    你(们)好

    非常感谢大家给出的明确答案。

    • 您能给我提供该功率级器件(包括栅极驱动器和半桥)的器件型号吗？
    • 该功率级器件是否具有评估模块？  
    • 是否有任何阻碍我们在低逆变器应用中使用该器件的障碍？

    此致

    Sam

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    TI__Guru**** 2813875 points
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    尊敬的 Sam：
    功率级产品可在以下位置找到： www.ti.com/.../overview.html。 这些器件的额定电压为20Vdc、25Vdc 和30Vdc、专为同步降压转换器应用而设计。 所使用的 FET 针对低占空比运行进行了优化、因此不对称。 我不确定它们在逆变器应用中的表现如何。 我将与负责这些部件的同事进行核实。
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    TI__Guru**** 2813875 points
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    你(们)好

    我们对这些器件非常感兴趣(CSD9.....) 对于我们的一个单相逆变器应用...…。如果唯一的问题是占空比、我们可以将30V 器件用于需要18V…的应用。对于我们来说、这将仍然是一个良好的电路解决方案...… 这是可以的吗？

    我们还等待您对可能禁止在逆变器应用中使用这些器件的其他问题的回答。

    此致

    Sam

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    TI__Guru**** 2813875 points
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    尊敬的 Sam：
    TI 有两种类型的功率级器件：智能功率级集成了电流和温度感应。 非智能功率级不包括这些功能。 我不会尝试将智能功率级用作逆变器。 死区时间管理电路和电流感测不是为这种类型的操作设计的、可能会导致不可预见的问题。 对于非智能功率级，我看不到任何技术原因无法实现它。 它并未针对该应用进行优化、因此性能可能不理想。

    CSD95379Q3M (或类似器件)等非智能器件可用于此类应用。
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    TI__Guru**** 2813875 points
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    你(们)好
    谢谢你。

    DRV8305-Q1EVM 的物理尺寸是多少(以英寸或 MMS 为单位)？
    此外、我们还将了解不同的 EVM、通常如何确定物理尺寸？

    此致
    Sam
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    TI__Guru**** 2813875 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Sam：
    我已将其发送给负责 DRV8305的团队。
    谢谢、
    John