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[参考译文] LMG1210:PWM 模式下的 HO 问题

Guru**** 2529560 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG1210

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/738103/lmg1210-ho-problem-under-pwm-mode

器件型号:LMG1210

大家好、

客户正在测试我们的 LMG1210、但在测试时遇到了一些问题。

它们现在将 LMG1210设置为 PWM 模式、EN/HI 引脚连接到5V 电源、信号发生器生成5V、2.5MHz、50%脉冲信号以驱动 PWM/LI。 两个信号都有一个20K 下拉电阻器。

加电后、它们测量了 LMG1210的 HO/LO 输出信号。 HO 始终为10V 电平、但 LO 信号正常、如下所示:

但随后、客户 将 VDD 的去耦电容值从100nF 更改为10uF、HO 的输出值变为5V。 此时、LO 的输出正常、如下所示:

原理图为:

他们怀疑芯片损坏了。 我们尝试自行更换芯片、但结果是 LO 的输出不正常。 LO 信号的输出频率与输入频率相同、但占空比完全错误、这会变成非常窄的脉冲。 HO 的输出信号完全变为低电平。

客户想知道在焊接过程中该芯片的耐高温程度、以及在高温下导致芯片击穿的时间。 当他们更换芯片时、使用的热风枪的温度为400摄氏度、使用热风枪的时间可能为1到2分钟。 这种情况是否会导致芯片损坏?

您是否有调试此问题的建议?

谢谢、此致、

Marc

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    Heyyyyy Mark、

    很高兴听到您的声音、很抱歉这个问题。

    关于 HO 保持高电平、它们是否使用差分探头测量相对于 HS 的 HO?
    此外、您能否移除总线电压并暂时将 HS 与 GND 短接、然后探测 HO 以查看其是否仍然处于高电平?

    同样需要更改 C41、此值通常至少应比 C39高10倍。

    我将进一步查看原理图和评论、以确保在调查温度方面没有与组件选择相关的问题。

    谢谢

    此致、

    -Mamadou
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    您能否也分享 LO 脉冲上的错误行为的波形? 连接和未连接 Vbus/负载时的情况。

    谢谢。

    此致、

    -Mamadou
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    为什么将 HI 拉至5V?
    C39如何补充高侧偏置?
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    您好、Mamadou、

    很抱歉耽误你的答复。 你在干什么?

    正确、它与 C39相关。 客户未连接 GaN 驱动器、因此自举无法正常工作。 它现在已修复。

    感谢你的帮助。

    Marc

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    尊敬的 Marc:

    太棒了! 感谢您告知我们问题已解决。