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[参考译文] 低 Rdson 解决方案

admin
Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD16570Q5B
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/738060/low-rdson-solution

主题中讨论的其他器件：CSD16570Q5B

大家好、

此应用为5V、30A、VDS 压降需要小于20mV。

您是否有任何推荐的 NMOS 器件？

谢谢！

  • 0
    TI__Guru**** 2380860 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    佐伊

    感谢您询问我们的 FET。

    我假设这是一些负载开关应用、而不是开关电源、因此我们可以只查看直流特性。 我还假设栅极驱动电压为10V。
    对于电流为30A 时的20mV 压降、意味着在工作温度下、您将需要介于(20mV/30A) 0.6-0.7m Ω 之间的电阻。

    如果这纯粹是一个直流操作(如热插拔或 ORing)来达到这些电阻、我建议使用的最佳器件是 CSD16570Q5B。