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[参考译文] TPS1HA08-Q1：电池反向时自动开启

admin
Guru**** 2521660 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS1HA08-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/735240/tps1ha08-q1-automatic-switch-on-with-reverse-battery

器件型号：TPS1HA08-Q1

尊敬的先生。

我的客户正在应用 Infineon 的高端 IPD、例如 BTS5016、因此我正在考虑
如何将其替换为 TI 的产品。
一位工程师抱怨 Infineon 的产品没有体现出其优势
系统级使用、例如电池反向。 我认为 TI 的产品将与他会面
可以实现更换。

我很抱歉地向你询问这种基本问题，但希望得到你的
提高我的理解能力的教义。

1、集成功率 FET。
  它是 NMOS FET 吗？

2.内部电源。
  它是电荷泵吗？

3.电池反向时自动打开。
  这是否意味着 TPS1HA08-Q1可在电池反向条件下驱动 FET 栅极
  通过从 GND 侧偏置来实现？
  如何利用函数块实现这一点？ 我在上检查了8.2功能方框图
  DS、但尚未澄清。

此致、

H. Sakai

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    TI__Guru**** 2521660 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    1 -是的、集成 FET 是 NMOS

    2 -器件具有一个用于驱动 FET 的内部电荷泵

    3 -是的、在电池反向期间、FET 导通。 有一个内电路偏置栅极、并在电池反向期间将 FET 完全导通。 此时内部电路不可用。

    此致   

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    TI__Guru**** 2521660 points
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    亲爱的，Mahmoud－San。

    非常感谢您的所有教义。

    我想确保栅极和 FET 的偏置路径完全导通

    电压。

    我想内部电荷泵开始将 FET 的体二极管偏置为

    (3)图5上的路径？

    另一种情况是(2)、但会发生过多的压降

    电阻器和内部钳位二极管导致的。

    很抱歉问这个问题、希望能再教一次。

    此致、

    H. Sakai

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    TI__Guru**** 2521660 points
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    您好、Sakai-San、

    图中的红色显示了电池反向期间的电流路径。 电荷泵关闭、但 FET 栅极通过输入引脚上的外部电阻器进行偏置。 这会将 栅极电压升高到 高于 FET 源极电压且 FET 导通。 由于 VBB 为0V、VOUT 也为0V、因此 FET 栅极电压保持高于 FET 源极电压、FET 保持导通状态。

    此致

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    TI__Guru**** 2521660 points
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    亲爱的，Mahmoud－San。

    非常感谢您提供的所有宝贵信息和教义。  

    我猜测 VBB 钳位是否会配置堆叠二极管、如所示  

    在下面、可以创建 Vgs (th)。 我想我的假设是正确的吗？  

    很抱歉干扰您的工作增益&再次。  

    此致、  

    H. Sakai

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    TI__Guru**** 2521660 points
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    您好、Sakai-San、
    我不认为栅极根据您的图纸通过 VBB 钳位进行偏置。 我没有内部电路、但我们可能会要求设计人员提供。 我们知道 FET 处于反极性导通状态。 您需要了解内部电路的原因是什么？
    此致
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    TI__Guru**** 2521660 points
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    亲爱的，Mahmoud－San。

    非常感谢您的提及。

    他们想知道" Rgnd"价值决策的目的和原因、因为
    它将受到器件击穿的影响。
    不需要精确的电路。
    我希望您对此有所了解、并提供简短的信息。

    此致、
    H. Sakai
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    TI__Guru**** 2521660 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    有一个来自器件 GND 和电源电压 VBB 的 ESD 单元。 如果电池反向、ESD 单元将正向偏置、接地电阻 Rgnd 应限制电流。 最大正向电流为50mA、最小电容器为 VBB/50mA。
    此致
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    TI__Guru**** 2521660 points
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    您好！

    TI 认为问题已解决、且该主题已关闭。 如果您仍有疑问、请重新打开。

    此致