• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 7 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 500 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] ISO5852S-Q1：为1.2kV SiC MOSFET 选择隔离式驱动器：ISO5852S-Q1与 UCC21520A。

admin
Guru**** 2519590 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO5852S-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/735386/iso5852s-q1-selecting-isolated-driver-for-1-2kv-sic-mosfet-iso5852s-q1-vs-ucc21520a

器件型号：ISO5852S-Q1
主题中讨论的其他器件： UCC21520A

您好！

我正在为1.2kV SiC MOSFET 设计驱动器、我有一些问题要选择合适的内核。 我想使用 ISO5852S-Q1、因为它具有一些有趣的特性：

  • DESAT
  • 输出 UVLO
  • 米勒钳位
  • 软关闭

该数据表未 μs SiC-MOSFET 的驱动、CMTI 的单位为 kV/μ s (CIO=1pF)。 然而、UCC21520A 的数据表显示：

  • [...] 它旨在驱动功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET [...]
  • [...] 共 模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为100V/ns [...] 其中 CIO=1.2pF。

但它没有 ISO5852S-Q1的任何功能。

在我的应用中、我们期望在50kHz 时电压转换为30~40 V/ns。 使用 ISO5852S-Q1是否有任何不便之处？  您是否有此驱动程序的 CMTI 测试结果？

谢谢、

David。

  • 0
    TI__Guru**** 2519590 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 David：

    感谢您关注我们的器件！

    我支持 ISO 系列的同事已离开办公室。 让我检查一下他何时回来帮助你解决你的问题。
  • 0
    TI__Guru**** 2519590 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 David：

    要回答您的问题：

    ISO5852S-Q1还可用于驱动具有高 CMTI 规格、快速传播延迟和宽 VCC2电源电压范围的 SIC MOSFET。
    ISO5852S-Q1的 CIO 为1pF。
    ISO5852S-Q1在处理高达100kHz 的 dv/dt 时不会出现任何问题。 最大 PWM 频率受热限制。 有关热计算的更多信息、请参阅第10.2.2.9节。 您可能需要使用外部缓冲器将部分栅极驱动损耗移出 IC 芯片。

    请告知我们任何进一步的问题。

    此致、
    熊
  • 0
    TI__Guru**** 2519590 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    熊您好、

    感谢你的帮助。 由于我们在50kHz 频率下使用它并使用外部缓冲器、我希望我们不会遇到过热问题。 STO 函数将通过缓冲器得到缓解、但我们知道这一点。

    这解决了我的问题。

    此致、

    David。

  • 0
    TI__Guru**** 2519590 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 David：

    通过在 BJT 缓冲器的基极上添加一个小电容器、可以保持 STO 功能。 可以根据关断时间要求来确定电容器的值。  

    此致、

    熊

  • 0
    TI__Guru**** 2519590 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    熊您好、

    感谢您提出这一想法。 您是否有关于 STO 激活时 RDS (ON)增加多少的数据？ 我们需要它具有 C 值的概念。

    再次感谢、

    David。

  • 0
    TI__Guru**** 2519590 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 David：

    内部电流源为130mA。 您可以根据应用的电流源值和软关断时序来调整外部 C 的大小。

    此致、
    熊
  • 0
    TI__Guru**** 2519590 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    熊您好、

    这实际上是一个很小的电流、并且会在执行电流缓冲器时对 STO 产生影响、即使没有 C。不管怎样、我非常感谢您的想法(也许我们会需要它)。

    再次感谢您的反馈！

    此致、

    David。