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[参考译文] TLV431B-Q1：稳定性边界条件输出电容

admin
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Other Parts Discussed in Thread: TLV431A, TLV431B-Q1, TLV431
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/736658/tlv431b-q1-stability-boundary-conditions-output-capacitance

器件型号：TLV431B-Q1
主题中讨论的其他器件：TLV431A、 TLV431

您好！

我尝试在设计中将 TLV431B-Q1用作3.3V 并联稳压器。 预期负载将随电容变化(最坏情况10uF)、因此我对数据表中的图18有疑问。 尤其是、相同的稳定性边界条件是否适用？ 该图仅针对 TLV431A 进行了标记。 请告诉我这些条件是否也适用于 TLV431B-Q1。

我在这里附上了我的电路图片。 出于某种原因、当我在 TLV431的阳极至阴极之间放置一个0.1uF 电容器时、我会看到稳定的输出。 这似乎违反了电路的稳定性边界条件。 (即使移除了10uF 电容器也能保持稳定)请告知我数据表和这种明显的矛盾。

谢谢！

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    您好 Sean、

    TLV431图的稳定性区域主要适用于没有晶体管的闭环配置。 这方面的一个示例是该部分使用的测试图。 偏离此图可能会改变稳定性区域。 您现在看到的是由于您的配置而导致稳定性区域发生的变化。 根据我的经验、增加晶体管通常会增加不稳定区域、这就是为什么没有 C2的10uF C1会不稳定的原因。 C1是适当的负载电容器、应加以考虑以确保稳定性。 通过添加 C2、您添加了一个极点、该极点可以更改电路的响应时间、从而使用 C1稳定电路。

    -Marcoo
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    TI__Guru**** 1617045 points
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    谢谢！ 这有助于澄清问题。