• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 3 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 78 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ25570：担心 VOUT 上的电压过高。 V1.8和 V3.3应用

admin
Guru**** 2517730 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25570

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/736718/bq25570-concern-about-excess-voltage-on-vout-v1-8-and-v3-3-application

器件型号：BQ25570

我的应用涉及到超低功耗、USB 和32位 MCU 处理器。

我想以3.3V 电压运行 MCU 进行 USB 通信、并在未连接 USB 时以1.8V 电压运行 MCU。

如果在将3.3V 电压馈入 VOUT 时将其编程为1.8V、我会损坏 BQ25570吗？ 因此、BQ25570可以处理低功耗待机、而单独的稳压器(MCU 板载)将处理3.3V 电压。

根据我可以收集的结果、结果将是 VSTOR 高达3.3V。 降压控制器是否会尝试转储此额外电压？

谢谢。

  • 0
    TI__Guru**** 2517730 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    杰克逊

    我必须与我的设计团队核实。 如果启用降压转换器、则可能会使低侧 FET 100%导通、从而努力将输出电压下拉至1.8V。 这将浪费电能并可能损坏 FET。 如果被禁用、我同意高侧 FET 二极管将3.3V 连接到 VSTOR。 请记住、VSTOR 通过内部 PFET 的体二极管连接到 VBAT。 因此、VBAT 将具有非稳压电流、尝试将其充电至3.3V、再减去二极管压降。
  • 0
    TI__Guru**** 2517730 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    好的。 我曾以为情况就是这样。 因此、最合乎逻辑的解决方案是简单地在稳压器输出之后放置一个肖特基或 MOSFET、以实现更有源的方法？

    我的电池化学成分是锂离子电池、所以我不担心反馈、但仍然不好。

    感谢您仔细研究我的案例。
  • 0
    TI__Guru**** 2517730 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    添加二极管是最安全的方法、但您的输出将略低于3.3V。