[参考译文] LM5085：LM5085的 EMI 问题

admin

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：LM5085

尊敬的所有人：

在我的最后一篇文章中：LM508不适用于35Vdc 以下的 V_input。当 IOUT 大于5A 时、我遇到了 EMIS 问题。我修改了布局、将控制器移到远离 SW 节点的位置、同时尽可能减小了 SW 节点的面积。

通过这样做、我实现了在输出时能够达到7A。但是、对于较高的值、当直流负载配置为10A 时、直流/直流开始工作时、PWM 频率衰减高达20-30kHz、VOUT 为0.72V、输出电流为6.5A。我真的相信、我会遇到 EMIS 问题、我已经完成了布局。

我计划将层数增加到4层、并将 GND 过孔放置在靠近 PCB 边缘的位置、您认为两者都足以大幅降低 EMIS 吗？

非常感谢！

David

0 admin 7 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好！

感谢您分享您的布局。我将与产品专家联系、再次查看您的布局。

此致、
Katelyn Wiggenhon

0 admin 7 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

David、

很高兴听到您的声音。您是否也可以附加更新的原理图？

谢谢、
Sam

0 admin 7 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好！

这是新原理图。

David

0 admin 7 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

David、

感谢您的分享。布局看起来更好、但仍有一些问题让我感到担忧。

C5负极端子连接到 VIN 布线上方的 GND 平面、但这意味着电流必须在电路板周围流动才能到达需要到达的位置。该电容可将负极端子连接到 VIN 布线下方的 GND 平面。

2. VIN 迹线向下扼至 R1正下方的薄迹线。如果您需要10A 输出、则该值应更厚。

R3只能处理10A 电流。确保您有足够的裕量。

4.VOUT 至 R5/C12的走线沿 SW 方向并直接在栅极驱动信号下运行。这是一条低阻抗走线、因为它连接到大电容(C8)、但 C8具有大量 ESR、VOUT->R5/C12走线很长。如果布线距离这些噪声节点更远、则会更好。

5. 底层有一个较大的 SW 平面。这将有助于散热、但如果您进行了传导/辐射 EMI 测试、则会导致重大问题。

6. 底层有一个较大的 GND 层(良好)，但它只连接到 GND 端子。最好有一些过孔拼接、这样 GND 平面就不会成为天线。尤其是在 IC 的 GND 引脚上放置一个过孔。

7. 有一些非常细的走线(ENA、PGATE、Isen)。这些值应更厚、尤其是 PGATE。使其厚度与 VOUT->R5/C12迹线相同。

Sam

电源管理（参考译文帖）(Read Only)