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器件型号：BQ40Z50 主题中讨论的其他器件： EV2400、 BQSTUDIO、 BQ25700AEVM-732
您好！
按照 本文档中概述的说明操作时、我在 BQ40z50 EVM 板上完成学习周期时遇到问题：
具体而言，我认为我的问题是在后充电休息期间不进行[Qmax]测量，因为[VOK]位永远不会被清除，并且数据存储器中的“Qmax 更新数”字段永远不会更新。
测试系统：BQ40z50EVM 通过 EV2400连接到运行 bqStudio 的 Windows 10 PC。 要为电池充电、可通过另一个 EV2400将 BQ2577aEVM 连接到同一台 PC。 该电池是 一款市售的 Samsung1.5 Ah NMC 电源单元、可在线购买。
为了开始学习周期、我首先在 BQ40z50上重新刷写了固件、并在 bqStudio 的数据存储器部分为我们的电池设置了以下值：
Chem ID：0x0259
设计容量：1500mAh
充电端子锥形电流：70mA
放电电流阈值：45mA
充电电流阈值：40mA
退出电流阈值：10mA
端点电压：2500mV
然后、我使用 bqStudio 完成了电流和电压读数校准。
- 初始放电：开始学习周期的方法是发送“unseal”命令，后跟 FET enable (FET_EN)和监测计 enable (Gugage_EN)命令，然后观察寄存器 VOK、QEN 和 REST，再跟随一个 RESET 命令。 然后、我开始以 C/3的速率将电池放电低至2500mV、然后让其休息。 我认为其余的工作是成功的、因为 VOK 和 RDIS 位最终被清除、而其余的标志变为高电平、如学习周期文档中所述。
- 完全充电：在初始放电和休息后、我通过发送 Gauge _Enable 命令并将充电率设置为~C/2来启动充电阶段。 当我们在电池上达到充满电(4200 mV)时、充电器的电流呈锥形。 电池电压达到4200 mV 时、我关闭了充电器。 此时、充电电流为~100mA。 然后、我开始了充电后的休息时间。 此时、寄存器的观察值开始偏离我们的预期。 即使在休息7小时后、VOK 位也不会被清除。 即使等待了20小时、VOK 位也不清零、更新状态也不会变为0x05。
- 完全缓慢放电：在等待20小时后、我们开始了一个 C/5放电、因为它是星期日、没有计划进行其他工作。 在 C/5放电后，有一个5小时以上的休息时间，但是更新状态没有改变到0x0E，不是我们所期望的那样，因为我们认为充电休息时间之后的事情没有正确更新。
如果您有任何具体的建议问题、请告诉我。 由于日志文件太大、无法作为附件包含、因此可以在我的 Google 驱动器上的以下链接中找到它：
谢谢、
-Zandr
