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数据表不包括内部自举二极管的额定电流、它是什么、例如峰值电流(在指定的持续时间内更好)。 我将其用于大规模生产平台、假设芯片内部没有与二极管串联的电阻器、则不打算并联外部二极管。 在现有的 PCB 设计中、我也没有一个与自举电容(1uf)串联的电阻器、这意味着流经二极管的峰值电流可能高达12V/1ohm =12A (1ohm 是数据表中列出的二极管电阻)。 Ty。
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数据表不包括内部自举二极管的额定电流、它是什么、例如峰值电流(在指定的持续时间内更好)。 我将其用于大规模生产平台、假设芯片内部没有与二极管串联的电阻器、则不打算并联外部二极管。 在现有的 PCB 设计中、我也没有一个与自举电容(1uf)串联的电阻器、这意味着流经二极管的峰值电流可能高达12V/1ohm =12A (1ohm 是数据表中列出的二极管电阻)。 Ty。
您好、Yang、
感谢您关注 LM5101C。 我是一名支持此器件的应用工程师、将努力解答您的问题。
LM5101x 半桥驱动器和其他 TI 100V 半桥驱动器中的自举二极管用于为 引导器充电、包括所涉及的高峰值电流。 正如您在消息中提到的、二极管电阻会将初始的完整充电周期自限为~12A。 数十年来、LM5101x 驱动器一直用于数百万个类似应用。
一旦转换器运行且 HB-HS 电容器初始充电、以下周期的电流峰值将低得多。 该二极管能够提供100mA 的平均电流、该电流非常高、可满足高侧 MOSFET 栅极电荷要求。
关于自举电容器的尺寸、请查看 LM5101A 数据表中有关自举电容器尺寸的第9.2.2节。 1uF 电容器比大多数应用所需的电容大、因此请根据 MOSFET Qg 和开关频率来检查该值。
此致、
Richard Herring